首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

IGBT等功率器件：芯片更薄，封裝散熱更好，集成度更高

  • 　　近日，三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年PCIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢。 　　IGBT芯片發(fā)展進程 　　IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來，就FOM(優(yōu)點指數(shù))來說，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術(shù)包括：精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如三菱電機的CSTBT)，以及薄晶圓的開發(fā)等等。如今，三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進。 　　隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來越低，尺寸越來越小。從80
  • 關鍵字： 三菱電機  IGBT  晶圓  201408  

中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之IGBT產(chǎn)業(yè)

  • IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢，是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發(fā)展，在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領域，市場前景廣闊。
  • 關鍵字： 半導體  IGBT  

中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)

  • 　　IGBT 　　是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點。基于技術(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應
  • 關鍵字： 半導體  IGBT  

IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光

  • 　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應用發(fā)展的必然
  • 關鍵字： 功率器件  IGBT  

意法半導體(ST)推出先進的1200V IGBT,可實現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

  • 　　意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應用的能效和耐用性。 　　意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20k
  • 關鍵字： 意法半導體  IGBT  H系列  

詳解IGBT驅(qū)動系統(tǒng)方案

  • 　　IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關斷技術(shù)，因而掌握好IGBT的驅(qū)動和保護特性是十分必要的。 　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)
  • 關鍵字： LED  驅(qū)動  IGBT  

世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將在株洲投產(chǎn)

  • 　　6月20日上午，被業(yè)界認為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關鍵 技術(shù)在中國南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。 　　國家多部委關注IGBT研發(fā) 　　IGBT，是一種實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

我國成功實現(xiàn)8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

  • 我國南車株洲所8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線建成，真正實現(xiàn)國產(chǎn)化，打破了國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷......
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

我首條8英寸IGBT芯片線建成

  • 　　我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線，6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。 　　與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平，主要應用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動設備中。 　　IGBT芯
  • 關鍵字： IGBT  電力電子  

國家“02專項”獲重大突破 8寸IGBT征名

  • 　　(飛馳于大江南北的和諧號機樣同樣需要IGBT核心器件。) 　　(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個月以上、歷經(jīng)200多道工藝、由數(shù)6萬個“細胞”完成。) 　　(中國南車株洲所功率半導體器件生產(chǎn)區(qū)域。) 　　(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。) 　　紅網(wǎng)長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬，一個長期被發(fā)達國家玩轉(zhuǎn)的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

傳統(tǒng)IGBT可靠性測試急需變革

  • 　　據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時，鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標。 　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機
  • 關鍵字： IGBT  Mentor  EV/HEV  201406  

東芝推出4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器

  • 　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導體&存儲產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅(qū)動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅(qū)動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產(chǎn)生過流狀況。這一新產(chǎn)品將于5月底開始量產(chǎn)出貨。 　　&l
  • 關鍵字： 東芝  TLP5214  SO16L  IGBT  

最經(jīng)典的IGBT資料大全，技術(shù)詳解，設計技巧，應用案例

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： IGBT  基礎理論  設計技巧  應用案例  雜散電感  DC/DC電源  

新能源汽車成為大功率IGBT的主要驅(qū)動力

  • 　　據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(下圖草綠色部分)?！　】煽啃猿蔀楣β孰娏﹄娮悠骷年P鍵指標　　EV/HEV汽車用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對性能指標要求高，目前電流已達600安培左右，同時對可靠性的要求更為嚴苛，例如汽車應用的期望壽命需要二三十年，需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，而且需要在不同的
  • 關鍵字： IGBT  Mentor  MicReD  

Mentor推出1500A功率循環(huán)測試設備

  • 　　聚焦可靠性　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機車牽引的期望壽命超過三十年，功率器件通常需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，對新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)。　　功率循環(huán)和熱量導致與熱相關的器件老化降級，容易導致焊線老化降級，金屬層錯位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問題。因此需要精密的實驗設備對電力電子器件的可靠性進行評估。　　傳統(tǒng)的功率循環(huán)測試和失效分析有諸
  • 關鍵字： MicReD  IGBT  功率循環(huán)測試  
共684條 24/46 |‹ « 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 » ›|

igbt 7介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbt 7!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對igbt 7的理解，并與今后在此搜索igbt 7的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473