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海力士預(yù)期今年?duì)I收將達(dá)10年高點(diǎn)

  • 　　由于目前存儲(chǔ)器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求，全球第2大存儲(chǔ)器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營(yíng)收可望達(dá)到10年來(lái)的最高點(diǎn)。 　　目前DRAM市場(chǎng)正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟(jì)逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷(xiāo)量就可能較2009年增加10%，帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。 　　另外，智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及其它行動(dòng)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對(duì)于存儲(chǔ)器芯片需求量節(jié)
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海力士將和美光談與恒憶的大陸合資廠

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，全球第2大存儲(chǔ)器廠商海力士(Hynix)表示，目前全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)僅能滿(mǎn)足60%的需求，海力士有可能會(huì)重新審視資本支出計(jì)畫(huà)，此外，海力士將和存儲(chǔ)器大廠美光(Micron) 討論先前海力士與恒憶(Numonyx)在大陸擁有的合資企業(yè)。 　　海力士新任執(zhí)行長(zhǎng)權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)表示，2010年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)對(duì)生產(chǎn)者有利，目前市場(chǎng)并未形成泡沫，優(yōu)于預(yù)期的市場(chǎng)狀況可能會(huì)延續(xù)至下1季。此外，海力士原先計(jì)劃在 2010年投資2.3兆韓元(約20.2億美元)，然若存儲(chǔ)
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海力士債權(quán)人任命公司新CEO

  • 　　據(jù)彭博社報(bào)道，海力士(Hynix Semiconductor Inc.)債權(quán)人任命Kwon Oh Chul擔(dān)任這家全球第二大電腦內(nèi)存片制造商CEO。 　　海力士主要債權(quán)人韓國(guó)外換銀行(Korea Exchange Bank)今天在一份電子郵件聲明中表示，該公司債權(quán)人在對(duì)海力士執(zhí)行副總裁Choi Jin Seog、執(zhí)行副總裁Park Sung Wook、和高級(jí)副總裁Kim Min Chul評(píng)審之后，最后選擇了今年51歲的Kwon Oh Chul。海力士債權(quán)人為了給予救助而對(duì)這家韓國(guó)電腦內(nèi)存片制造商投入
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Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品

  • 　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開(kāi)發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱(chēng)將于今年7月份開(kāi)始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 　　按閃存芯片市占率計(jì)算，Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
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海力士：DRAM恐供給過(guò)剩

  • 　　DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語(yǔ)，認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過(guò)剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 　　全球DRAM龍頭三星上周才公開(kāi)表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語(yǔ)，看法與三星大為迥異。 　　外電報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時(shí)透露，由于各大芯片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM會(huì)供給過(guò)剩;不過(guò)，他認(rèn)為儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)需求仍會(huì)不錯(cuò)。
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2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

  • 　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化。 　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出，在高容量32Gb和64Gb
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4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米

  • 　　2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競(jìng)爭(zhēng)力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競(jìng)爭(zhēng)更激烈。 　　雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

  • 　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。 　　2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成長(zhǎng)主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長(zhǎng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士?jī)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(zhǎng)167%。 　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(zhǎng)26%及12%，至于N
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成

  • 　　韓國(guó)內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在智能手機(jī)，平板電腦等移動(dòng)設(shè)備上使用，Hynix并稱(chēng)這種芯片將于今年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)。   　　這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。 　　Hynix宣稱(chēng)這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達(dá)4.26GB/s。另外，這
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阿布扎比國(guó)有投資公司無(wú)意收購(gòu)韓海力士半導(dǎo)體股份

  • 　　阿布扎比政府屬下的阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)6日稱(chēng)，公司無(wú)意收購(gòu)韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc.)股份。 　　公司首席執(zhí)行官阿賈米(Ibrahim Ajami)電話(huà)告訴媒體稱(chēng)，“這與ATIC沒(méi)有任何關(guān)系，我也不清楚是不是阿布扎比政府旗下其他投資半導(dǎo)體的投資公司。” 　　6日早前一家媒體援引韓國(guó)政府官員的話(huà)報(bào)道稱(chēng)，阿聯(lián)酋政府顯示有興趣收購(gòu)海力士半導(dǎo)體的股份。 　　阿賈米稱(chēng)，由高級(jí)微設(shè)備公司(AMD)拆分而來(lái)的半導(dǎo)體制造廠商Glob
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韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格

  • 　　韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 　　韓國(guó)快閃記
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海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科

  • 　　國(guó)際DRAM廠相繼傳來(lái)調(diào)高資本支出的消息，韓國(guó)大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當(dāng)于12.7億美元，雖然以全球的角度來(lái)看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高，海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來(lái)，最大規(guī)模的一次行動(dòng)。 　　目前已知將調(diào)高資本支出的國(guó)際廠商包括爾必達(dá)、三星半導(dǎo)體、華邦電，上周25日，韓國(guó)大廠海力士也跟進(jìn)宣布調(diào)高資本支出。 　　根據(jù)外電指出，海
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海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

  • 　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。 　　海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。 　　隨著景氣逐漸回升，海力士計(jì)劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴(kuò)張目前的NAND
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Hynix宣布開(kāi)發(fā)出首款40nm制程2Gb GDDR5顯存芯片

  • 　　Hynix公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出了業(yè)內(nèi)首款面向PC機(jī)和游戲機(jī)的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產(chǎn)品。Hynix稱(chēng)這款新開(kāi)發(fā)出來(lái)的GDDR5顯存運(yùn)行頻率可達(dá)7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達(dá) 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產(chǎn)品能耗可下降20%左右。 ? 　　Hynix公司計(jì)劃于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過(guò)Intel驗(yàn)證

  • 　　韓國(guó)Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗(yàn)證工作也將于年底前順利完成。 　　這次通過(guò)驗(yàn)證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗(yàn)證時(shí)的運(yùn)行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 　　Hynix宣稱(chēng)
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hynix介紹

海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國(guó)的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價(jià)格操控與處份 2004 [ 查看詳細(xì) ]

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