high-voltage 文章 進入high-voltage技術社區(qū)
imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時微電子研究中心(imec),在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機,發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實該微影技術的生態(tài)系
- 關鍵字: imec High-NA EUV DRAM
價值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一,其分辨率達到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關鍵字: Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
臺積電CEO秘訪ASML,High-NA EUV光刻機競賽提前打響?
- 5月26日,臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動,臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產(chǎn)品,包括High-NA EUV設備將如何實現(xiàn)未來
- 關鍵字: 臺積電 ASML High-NA EUV 光刻機
High-NA EUV光刻機入場,究竟有多強?
- 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機(DUV)起步,其穩(wěn)定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎;再到后來的極紫外光刻機(EUV)以其獨特的極紫外光源和更短的波長,成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(High-NA)正式登上歷史舞臺,進一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示,其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā),將于 2024 年安裝在 A
- 關鍵字: High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息,據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道,ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術,運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道,NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝,可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量,相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字: ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機?
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關鍵字: 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺積電如何應對?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機,預計在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下,臺積電則采取更加謹慎的策略,業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺積電暫時觀望的原因,臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術,以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
- 關鍵字: 英特爾 High-NA EUV 臺積電
SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術系統(tǒng)的限制,DRAM的性能被要求不斷提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術,并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
- 關鍵字: SK海力士 High-k Metal Gate
惠普收購安全技術供應商Voltage Security
- 惠普周二宣布,該公司將收購安全技術供應商Voltage Security公司?;萜諗M通過這一交易來強化自身的安全產(chǎn)品。不過,惠普的聲明中并未披露此次交易的具體價格。 Voltage Security公司成立于2002年,總部位于加州的Cupertino。目前為止,Voltage Security已經(jīng)獲得了多輪融資。早在2007年,Voltage Security就完成了D輪的1200萬美元融資,在那一輪融資中,Trident資本公司為領投方。 惠普聲稱,Voltage Security的加
- 關鍵字: 惠普 Voltage Security
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