high-na 文章進(jìn)入high-na技術(shù)社區(qū)

SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對(duì)HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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可穿戴與IoT用DC/DC：如何實(shí)現(xiàn)納安級(jí)消耗電流？　

可穿戴等市場(chǎng)發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過(guò)電路、布局和工藝實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字：可穿戴 DC/DC 降壓型輕載 nA 201804

High-end A4監(jiān)聽(tīng)音箱的制作

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
關(guān)鍵字：制作音箱監(jiān)聽(tīng) A4 High-end

High-end A4監(jiān)聽(tīng)音箱的制作方法

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
關(guān)鍵字：制作方法音箱監(jiān)聽(tīng) A4 High-end

安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設(shè)計(jì)套件

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：安森美 ADS High-QIPD 高電阻率硅銅

電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負(fù)6次方/800*10的負(fù)12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時(shí)間林約是9MS，頻率為111HZ。實(shí)際上必須加上上升時(shí)間，所以振蕩頻率大約為100HZ。因?yàn)镃1的微調(diào)很困難，所以允許A2的正
關(guān)鍵字： 100 0.1 KHZ NA

如何制作High-end A4監(jiān)聽(tīng)音箱

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝knmiddot;f33middot;VB
上式中，k
關(guān)鍵字：監(jiān)聽(tīng) 音箱 A4 High-end 制作如何

Derive simple high-current source from lab sup

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
關(guān)鍵字： high-current Derive simple source

制作High-end A4監(jiān)聽(tīng)音箱的方法

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝kn?f33?VB
上式中，kn是箱體系數(shù)，
關(guān)鍵字：音箱方法監(jiān)聽(tīng) A4 High-end 制作

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)拮據(jù)　聯(lián)盟關(guān)系將成救星

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來(lái)的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過(guò)該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍(lán)圖延遲，而且公司恐怕無(wú)法做好迎接未來(lái)挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機(jī)點(diǎn)。不過(guò)Freeman卻認(rèn)為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過(guò)去十年來(lái)有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對(duì)研發(fā)所帶來(lái)的沖擊。　　Fr
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備通孔硅 high-k金屬閘極

臺(tái)灣晶圓廠(chǎng)選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺(tái)灣晶圓廠(chǎng)為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠(chǎng)也將與ASM針對(duì)最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對(duì)進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠(chǎng)在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來(lái)開(kāi)發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。　　納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
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凌華推出High Speed Link延伸模塊

　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶(hù)提供最長(zhǎng)可達(dá)2400公尺的長(zhǎng)距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線(xiàn)架構(gòu)，搭配高達(dá)十余種I/O及運(yùn)動(dòng)控制模塊的組合，提供客戶(hù)實(shí)時(shí)控制的完整解決方案。　　　　凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠(yuǎn)程I/O實(shí)時(shí)控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對(duì)接線(xiàn)的
關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制凌華汽車(chē)電子通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線(xiàn) 延伸模塊工業(yè)控制

瑞昱推出High Definition 音訊轉(zhuǎn)換芯片

音訊內(nèi)容保護(hù) (Content Protection) 技術(shù)與透過(guò)傳統(tǒng)電話(huà)的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用瑞昱半導(dǎo)體在美國(guó)舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準(zhǔn)音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護(hù)與防拷&nbs
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尼康NA超過(guò)1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠(chǎng)商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開(kāi)口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設(shè)備。　　這家大型半導(dǎo)體廠(chǎng)商的名字，尼康沒(méi)有公布，估計(jì)是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。　　作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對(duì)于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問(wèn)題，據(jù)稱(chēng)利用名為“Local-fill（局部
關(guān)鍵字： NA 尼康嵌入式系統(tǒng)