hdr-cmos 文章進(jìn)入hdr-cmos技術(shù)社區(qū)

嵌入式CMOS成像器速度全息數(shù)據(jù)檢索

過(guò)去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過(guò)于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)受到限制?，F(xiàn)在，已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)類屏幕市場(chǎng)的數(shù)字微鏡設(shè)備以及用于高速機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用、基于CMOS的有源像素探測(cè)器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來(lái)說(shuō)，由于微鏡設(shè)備可被有效地用作空間光調(diào)制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來(lái)讀取全息媒體中包含的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在傳統(tǒng)光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備中，數(shù)
關(guān)鍵字： CMOS 成像器單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 數(shù)據(jù)檢索

用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器

摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對(duì)象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對(duì)角長(zhǎng)度略大于190mm。本文對(duì)傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
關(guān)鍵字： CMOS X射線電源技術(shù) 晶圓級(jí) 模擬技術(shù) 圖像傳感器有源像素其他IC 制程設(shè)備診斷類

OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開(kāi)始陸續(xù)針對(duì)可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來(lái)將靈活運(yùn)用這一特長(zhǎng)，加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進(jìn)而與感測(cè)式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來(lái)
關(guān)鍵字： OKI SI-CMOS 傳感器電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程

常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)功能和原理

開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)獨(dú)立的模擬開(kāi)關(guān),每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān) 數(shù)控電阻電阻電位器

ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器

ROHM株式會(huì)社針對(duì)力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品，并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
關(guān)鍵字： CMOS ROHM 比較器電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運(yùn)算放大器模擬IC 電源

先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現(xiàn)了前端的高度集成

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 3G GSM TD-SCDMA 收發(fā)器 2G RF WCDMA UMTS CMOS HSDPA LO IF LNA 3GPP

移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過(guò)5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測(cè)試。測(cè)試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費(fèi)電子消費(fèi)電子

32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設(shè)計(jì)

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析，并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機(jī)

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技巧

集成多路模擬開(kāi)關(guān)（以下簡(jiǎn)稱多路開(kāi)關(guān)）是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對(duì)器件自身介紹較多，而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類，注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能，甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān)