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APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎(jiǎng)

  • CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(huì)(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎(jiǎng)。
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Silicon Labs廣播收音機(jī)IC出貨量突破十億顆

  • 　　高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機(jī)IC出貨量已達(dá)十億顆，締造了廣播音頻市場(chǎng)的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機(jī)芯片廣泛應(yīng)用于手機(jī)、便攜式媒體播放器(PMP)、個(gè)人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機(jī)、便攜式收音機(jī)、音響和許多其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。 　　Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機(jī)IC，Si4700 IC重構(gòu)了消
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CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗(yàn)

  • 目前，包括移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)
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“寬動(dòng)態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)標(biāo)配

  • 寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)作為攝像機(jī)一個(gè)非常重要的分支，在明暗反差太大、光線來源單一的場(chǎng)合，發(fā)揮了重要的作用。寬動(dòng)...
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CMOS振蕩器設(shè)計(jì)

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
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標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險(xiǎn)。正如在淘金熱時(shí)代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對(duì)納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財(cái) 富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對(duì)那些不了解
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高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對(duì)俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進(jìn)行特征分析。 先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展        近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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SuVolta全新CMOS平臺(tái)有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺(tái)。該平臺(tái)可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。 　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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PowerShrink平面CMOS平臺(tái)有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺(tái)支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
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0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

  • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
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一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種寬帶軌對(duì)軌運(yùn)算放大器，此運(yùn)算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實(shí)現(xiàn)輸入級(jí)總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
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雙眼勝過單目：大陸集團(tuán)新推立體攝像機(jī)

低功率CMOS無線射頻芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)

  • 無線通訊市場(chǎng)的趨勢(shì)一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標(biāo)。短距離裝置產(chǎn)品(Short-RangeDevices)...
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應(yīng)用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設(shè)計(jì)

  • 提出一種應(yīng)用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設(shè)計(jì)。該分頻器采用脈沖吞吐結(jié)構(gòu)，可編程計(jì)數(shù)器和吞脈沖計(jì)數(shù)器都采用改進(jìn)的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結(jié)構(gòu)的模擬電路實(shí)現(xiàn)，相對(duì)于采用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時(shí)，對(duì)可編程分頻器中的檢測(cè)和置數(shù)邏輯做了改進(jìn)，提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進(jìn)行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實(shí)現(xiàn)200～515的分頻比，整個(gè)功耗不超過19 mW，版圖面積為106 μ
  • 關(guān)鍵字： 可編程  設(shè)計(jì)  CMOS  合成器  頻率  應(yīng)用  
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