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我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)(3)
- 簡介:繼續(xù)把我在學習數(shù)字電路過程中的一些“細枝末節(jié)”小結(jié)一下,和大家共享。 1、在數(shù)字電路中,BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū),放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程,這個過程越長,說明它的動態(tài)性能越差;同理,CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū),恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值,不能過于“含糊”,否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣! 2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來,這樣
- 關鍵字: CMOS BJT
學習總結(jié)之電路是計算出來的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】,則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2,但是
- 關鍵字: CMOS 電路
CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導體晶圓接合暨微影技術(shù)設備廠商EVGroup(EVG)今日宣布,該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切,在過去12個月以來,EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍,主要來自于晶圓代工廠以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應用挹注,制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關鍵字: CMOS 3D-IC
ams收購恩智浦半導體公司CMOS傳感器業(yè)務
- 領先的高性能模擬IC和傳感器供應商ams(艾邁斯)近日宣布收購恩智浦半導體公司CMOS傳感器業(yè)務。收購完成后,恩智浦公司旗下先進的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下,有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內(nèi)同時測量相對濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數(shù)。 ams市場營銷和策略執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示:“環(huán)境傳感器可通過監(jiān)測氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為,提高人類對周邊環(huán)境的敏感度。通過使用電子設備獲取這些信息后,我們可以主動高效地
- 關鍵字: ams CMOS
聯(lián)華電子TSV技術(shù)進入量產(chǎn)階段,驅(qū)動AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布,用于AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù),已經(jīng)進入量產(chǎn)階段,此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù),在硅中介層上融合 連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU,使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬,及遠超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標準達4倍的每瓦性能
- 關鍵字: 聯(lián)華電子 CMOS
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