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TI:運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率
- 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵(GaN)技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題,分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產(chǎn)業(yè)領導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而也提高了運算能力的需求,TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào),
- 關鍵字: TI GaN 數(shù)據(jù)中心 能源效率
學貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)
- 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里,我們說明了天字第一號模型:分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用:GAN(generative adversarial networks,生成對抗網(wǎng)絡)。自從2014 年問世以來,GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領域,就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆,使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮,常常創(chuàng)作出很特別的效果,給人們許多驚喜的感覺,例如圖1。?圖1近年來,非同質(zhì)化代幣NFT(
- 關鍵字: 202205 生成對抗網(wǎng)路 GAN
場效應管常用的三大作用:放大作用、恒流輸出、開關導通
- 1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下圖是場效應管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓,并影響放大倍數(shù)Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛,如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調(diào)標尺工序。由于場
- 關鍵字: MOSFET MOS 場效應管
開關電源MOS管有哪些損耗,如何減少MOS管損耗
- 一、什么是開關電源開關模式電源(SwitchModePowerSupply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設備,例如個人電腦,而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關損耗開關損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
- 關鍵字: 開關電源 MOS MOSFET
射頻硅基氮化鎵:兩個世界的最佳選擇
- 當世界繼續(xù)努力追求更高速的連接,并要求低延遲和高可靠性時,信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上,還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求,增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求,提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO(mMIMO)系統(tǒng)的推動下,基站無線電中的半導體器件數(shù)量急劇增加,移動網(wǎng)絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此,限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡的安裝和
- 關鍵字: 氮化鎵 GaN
不只是充電器!99%的人不知道的事實:氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關
- 過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗,更快的下載速度、低延時,高達10Gps/s的理論峰值速率,比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上,延時更是低至1ms,比4G手機縮短10倍?! ‘斎?,5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升,更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此,不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池,采用更高的充電功率,并在充電器上引進最新的氮化鎵技術(shù),實現(xiàn)在提高充電器功率的同時,將體積控制得更小巧。 而這里其實有一個有趣的事實: 這項為5G手機帶來
- 關鍵字: 氮化鎵 GaN
PI打出芯片組合拳 解決家電快充應用
- 2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC?! ?jù)了解,HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內(nèi)部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅(qū)動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET,具有無損耗的電流檢測,同時集成有上
- 關鍵字: PI HiperLCS-2芯片組 HiperPFS-5 GaN
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說,GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能,有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,RO
- 關鍵字: SiC GaN ROHM
ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2高達8V,非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設備的電源電路。一般而言,GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能,因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低,在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題,ROHM的新產(chǎn)品通過采用自有的結(jié)構(gòu),成功
- 關鍵字: ROHM 150V GaN HEMT
gan mos driver介紹
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