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富士通推出具業(yè)界最佳運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM

  • 　　4月15日消息，富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具業(yè)界最低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品?！　〈薋RAM產(chǎn)品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運(yùn)行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運(yùn)行時(shí)為170 μA;以1 MHz運(yùn)行時(shí)則為80 μA?！　〕司邩I(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8引腳SOP(small outline package)之外，富士通還提
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進(jìn)軍智能水/氣表市場，富士通FRAM再下一城

  • 　　在計(jì)量儀表行業(yè)，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個(gè)“藍(lán)海”市場，對成本的敏感度遠(yuǎn)低于對功耗的敏感度，正是因?yàn)檫@一特點(diǎn)，使得FRAM這一無電池存儲(chǔ)技術(shù)在無論是通信單元(中繼)還是計(jì)量單元都得到越來越多的應(yīng)用。　　而在深圳最近舉辦的2015智能水/氣計(jì)量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半導(dǎo)體的展臺人頭攢動(dòng)，業(yè)界對這一新型存儲(chǔ)技術(shù)的關(guān)注可見一斑，F(xiàn)RAM在電表領(lǐng)域的成功很快將延伸到一顆電池要用10-15年的水/氣表中，甚至有過
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在RFID中嵌入FRAM，打破傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽的一系列限制

  • 　　開車的朋友可能會(huì)有這樣的經(jīng)歷，當(dāng)您經(jīng)過高速公里收費(fèi)站時(shí)，您的交通收費(fèi)卡在進(jìn)站和出站時(shí)偶爾會(huì)無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了它的讀寫次數(shù)。目前，這些交通卡大部分是采用內(nèi)嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。 　　“采用FRAM 的RFID的讀寫次數(shù)可以達(dá)到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫次數(shù)最多只有一百萬次，這就是為何高速收費(fèi)處偶爾會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀不出的問題。”富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市
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富士通為1Mb序列FRAM開發(fā)超小型封裝

  • 　　富士通半導(dǎo)體臺灣分公司宣布成功開發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機(jī)存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實(shí)現(xiàn)將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。 　　WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時(shí)將功耗降至最低，并提供更持久的電池續(xù)航力。 　　穿戴式市場是目
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富士通為1Mb序列FRAM開發(fā)超小型封裝

  • 　　富士通半導(dǎo)體臺灣分公司宣布成功開發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機(jī)存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實(shí)現(xiàn)將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。 　　WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時(shí)將功耗降至最低，并提供更持久的電池續(xù)航力。 　　穿戴式市場是目
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FRAM在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用的優(yōu)勢

  • FRAM在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用的優(yōu)勢
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可穿戴電子應(yīng)用的FRAM

  • 　　引言： 　　FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 　　正文： 　　鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間應(yīng)用、高可靠軍事以及各種汽車應(yīng)用。使FRAM適用于這些應(yīng)用的特征也使之成了可穿戴應(yīng)用的可行技術(shù)，因?yàn)镕RAM技術(shù)與生俱來的附加屬性包括低功耗與高耐用性。 　　電子可穿戴設(shè)計(jì)的一個(gè)主要注意事項(xiàng)是在提升可靠性的同時(shí)降低總體功耗。設(shè)計(jì)人員必須在增加功能的同時(shí)降低系統(tǒng)功耗，以便延長電池使用壽命。與此同時(shí)，嵌入式軟件的大小和復(fù)雜性
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德州儀器 (TI) 全新超低功耗FRAM微控制器為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與恢復(fù)帶來變革，在電源意外中斷時(shí)確保數(shù)據(jù)安全

  • 　　為了解決困擾工程師們數(shù)十年的設(shè)計(jì)難題，德州儀器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技術(shù)，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整個(gè)MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 產(chǎn)品系列中實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與恢復(fù)。這項(xiàng)正在申請專利的技術(shù)能夠在應(yīng)用程序意外斷電后通過智能系統(tǒng)狀態(tài)恢復(fù)實(shí)現(xiàn)瞬時(shí)喚醒。此外，具有TI CTPL技術(shù)的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模擬和數(shù)字外設(shè)，用于減少系統(tǒng)成本、
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FRAM邁向主流存儲(chǔ)器之漫漫長路…

  • 　　鐵電記憶體(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被認(rèn)為將成為主流技術(shù)，但至今仍與其他眾多新記憶體技術(shù)一樣，并沒有如預(yù)期般迅速崛起。FRAM的內(nèi)部運(yùn)作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃記憶體的非揮發(fā)性;在1980年代首個(gè)成功的FRAM電路問世，其通用功能就被認(rèn)為可以在許多應(yīng)用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。 　　“那樣的情況就是沒有發(fā)生，”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Jim Handy (來自O(shè)bjective Analysis)在Cypress收購FRAM
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物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高清視頻應(yīng)用需要怎樣的金剛鉆？

  • 　　“有了金剛鉆，敢攬瓷器活”，當(dāng)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能汽車、高清視頻等熱門應(yīng)用載著滿滿的財(cái) 富襲來之時(shí)，半導(dǎo)體廠商是否有足夠先進(jìn)的技術(shù)以應(yīng)對呢?尤其是在需要高性能的細(xì)分市場，對于半導(dǎo)體廠商的要求更高。例如，物聯(lián)網(wǎng)需要小型、低功耗、高可靠 的存儲(chǔ)器解決方案，智能汽車需要先進(jìn)的圖形顯示控制器以實(shí)現(xiàn)ADAS功能，而實(shí)時(shí)4K則需要H.265編碼能力。 　　在本屆慕尼黑上海電子展上，相關(guān)廠商展示的幾項(xiàng)“低調(diào)奢華有內(nèi)涵”的相關(guān)技術(shù)方案引起了 筆者的關(guān)注：高可靠FRA
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控制自身功耗預(yù)算并優(yōu)化軟件的MCU？說說MSP430 FRAM

  • 　　MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++?實(shí)時(shí)功耗分析器和調(diào)試器。這些MSP430? MCU非常適用于智能計(jì)量儀表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠(yuǎn)程傳感器、能量收集裝置、家庭自動(dòng)化設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應(yīng)用。 　　EnergyTrace++技術(shù)是全球第一個(gè)能使開發(fā)人員為每個(gè)外設(shè)實(shí)時(shí)分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調(diào)試系統(tǒng)。這
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FRAM存儲(chǔ)“多、快、省”

  • 　　近日，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨(dú)特優(yōu)勢。擁有15年FRAM量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的富士通半導(dǎo)體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點(diǎn)。“多”指的是FRAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點(diǎn)，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;“省”是FRAM超低
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FRAM以領(lǐng)先特性解決應(yīng)用瓶頸、促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng)新

  • 　　在海量的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應(yīng)用、云存儲(chǔ)正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲(chǔ)技術(shù)大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費(fèi)電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在。這種存儲(chǔ)技術(shù)就是鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨(dú)特技術(shù)特性優(yōu)勢，特別是FRAM RFID和認(rèn)證FRAM方面眾多的創(chuàng)新應(yīng)用案例對電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)具有很好的創(chuàng)新啟發(fā)，受到與會(huì)嘉賓的關(guān)注。 　　
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FRAM以領(lǐng)先特性解決應(yīng)用瓶頸、促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng)新

  • 　　在海量的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應(yīng)用、云存儲(chǔ)正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲(chǔ)技術(shù)大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費(fèi)電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在。這種存儲(chǔ)技術(shù)就是鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨(dú)特技術(shù)特性優(yōu)勢，特別是FRAM RFID和認(rèn)證FRAM方面眾多的創(chuàng)新應(yīng)用案例對電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)具有很好的創(chuàng)新啟發(fā)，受到與會(huì)嘉賓的關(guān)注。 　　
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富士通：鐵電存儲(chǔ)器我也很牛的！

  • 　　鐵電隨機(jī)存取記憶體(Ferroelectric RAM，F(xiàn)RAM;或稱FeRAM)由于結(jié)合了ROM與RAM的優(yōu)勢，具備非揮發(fā)性、高速寫入、高耐受度、低功耗等方面的條件，在這幾年來不斷擴(kuò)大市場版圖，特別是在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域備受矚目;隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)崛起，F(xiàn)RAM也可望在各類智慧連網(wǎng)裝置上找到更多新應(yīng)用商機(jī)。 　　在FRAM技術(shù)領(lǐng)域耕耘15年的日商富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量產(chǎn) FRAM 元件以來，全球出貨量累計(jì)已超過25億顆，具備多樣化的產(chǎn)品種類選擇;
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