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2016年CES上有哪些安防元素？

  • 智能家居并沒有一套完整的標(biāo)準(zhǔn)，某些安全策略不足以支撐設(shè)備彼此間的兼容，消費(fèi)者為了控制不同的產(chǎn)品，不得不頻繁的切換應(yīng)用，最讓人感同身受的便是手機(jī)上各式各樣的APP。
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CES2016預(yù)測丨智能可穿戴如何突破手表手環(huán)圍城

  • 　　2015年已經(jīng)過去，這一年可穿戴設(shè)備的種類層出不窮，但最終穿戴在我們身上的電子設(shè)備卻并不多，最多的就要算就是手環(huán)和手表了?！　≈饕窍M(fèi)者也不將可穿戴產(chǎn)品作為“剛需”電子產(chǎn)品，不過相信2016年憑借更靈敏的傳感器、低功耗芯片，以及節(jié)能的無線技術(shù)等等，就能解決了產(chǎn)品被吐槽已久的“詬病”，改變續(xù)航、交互方式甚至是大大降低成本。　　   　　除此之外，監(jiān)控血糖水平、可以測肺活量和皮膚溫度，甚至分析人體體內(nèi)化學(xué)成分的傳感器設(shè)備也將會在2016年CES上亮相，這些也將會為可穿戴設(shè)備賦予更多
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美CES科技大秀 聯(lián)發(fā)科3晶片亮相

  • 　　2016年1月5日消息，美國消費(fèi)性電子大展CES即將于6日開展，聯(lián)發(fā)科(2454)今年將以主題“全新消費(fèi)者體驗(yàn)從聯(lián)發(fā)科技開始”在2016 CES展出，并發(fā)表三款新晶片，採用這些晶片的消費(fèi)性電子產(chǎn)品將與周圍世界有更好的連結(jié)。這三款晶片分別是：4K超高解析藍(lán)光播放器晶片、智慧型手表晶片、以及家庭物聯(lián)網(wǎng)晶片。 　　在家庭娛樂方面，推出 MT8581是全球首款支援高動態(tài)范圍成像的4K超高解析度藍(lán)光播放器專用SoC，其所帶來的視覺體驗(yàn)堪比從VHS錄像機(jī)到DVD播放機(jī)的革命性飛躍。 　
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CES2016八大亮點(diǎn)搶先看 智能家居更加普及

  • 雖然CES的光環(huán)逐漸黯淡，但它仍可用來預(yù)測未來一年(有時(shí)甚至是兩年)的消費(fèi)技術(shù)潮流，如虛擬現(xiàn)實(shí)、高清晰度電視、自動駕駛車輛等。
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國內(nèi)外巨頭眾星捧月 智能家居將成CES重頭戲

  • 　　近期CES在科技圈熱鬧起來了，2016年1月6日至1月9日，一年一度的國際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會CES(Consumer Electronics Show)將在美國賭城拉斯維加斯舉行，即將參展的企業(yè)紛紛熱身，CES2016這場全球最大規(guī)模的高科技年度盛事，勢必會成為2016年國內(nèi)智能硬件行業(yè)潮流的一個(gè)風(fēng)向標(biāo)。展會將匯集來自全球一百多個(gè)國家和地區(qū)的數(shù)千家優(yōu)秀消費(fèi)類電子廠商、IT核心廠商和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供商，涵蓋數(shù)碼電子、穿戴式設(shè)備、計(jì)算機(jī)設(shè)備、3D打印、汽車電子、家用電器、智能家居等相關(guān)領(lǐng)域。在2015年C
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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  • 　　蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。 　　據(jù)SemiWiki報(bào)導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產(chǎn)1萬片晶圓，規(guī)模相對小且老舊，無法生產(chǎn)蘋果所需的應(yīng)用處理器(AP)。 　　蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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CES 2016提前看，3D圖像傳感器有啥亮點(diǎn)

  • 　　在下個(gè)月2016年的消費(fèi)電子CES展，英飛凌和pmdtechnologies有限公司將展示REAL3，3D圖像傳感器芯片。 　　相比之前的版本，光靈敏度，功耗得到相應(yīng)的提高。節(jié)省空間的設(shè)備，這使手機(jī)操作微型攝像系統(tǒng)，可以測量3D深度數(shù)據(jù)。 　　相機(jī)的范圍和測量精度取決于所發(fā)射的和反射的IR光的強(qiáng)度，并且所述三維圖象傳感器芯片的像素靈敏度。后者是先前版本的兩倍，如將一個(gè)微透鏡的每個(gè)所述傳感器芯片的像素中的一個(gè)結(jié)果。因此，大部分的入射光被引導(dǎo)到像素的敏感表面上，所以幾乎沒有光能量損失到非活動區(qū)域。這意
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CES 2016前瞻！TI六大亮點(diǎn)展品推動消費(fèi)電子創(chuàng)新

  • 　　備受矚目的2016年國際消費(fèi)電子展?(CES)?已經(jīng)正式進(jìn)入倒計(jì)時(shí)階段。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，TI將在本次的展會中展示超過100項(xiàng)的創(chuàng)新技術(shù)。無論是先進(jìn)的高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)還是適用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和可穿戴技術(shù)的創(chuàng)意解決方案，TI所提供的半導(dǎo)體技術(shù)賦予了消費(fèi)電子產(chǎn)品全新的工程設(shè)計(jì)創(chuàng)造力?！　τ谀切┘磳⑶巴咕S加斯參展的與會者而言，他們將可以在TI?Village體驗(yàn)創(chuàng)新技術(shù)所帶來的突破與變革。而為了讓更多的朋友能夠一覽TI?Village
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CES 2016值得格外留意的科技五大趨勢

  • 2015年CES展上出現(xiàn)的各類穿戴裝置主要的還算是被動資料搜集設(shè)備，但今年手勢控制介面的發(fā)展值得關(guān)注。
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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哪些半導(dǎo)體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個(gè)最佳解決方案。 　　雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。 　　
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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