傳統(tǒng)上，EMC一直被視為“黑色魔術(black magic)”。其實，EMC是可以藉由數(shù)學公式來理解的。不過，縱使有數(shù)學分析方法可以利用，但那些數(shù)學方程式對實際的EMC電路設計而言，仍然太過復 雜了。幸運的是，在大多數(shù)的實務工作中，工程師并不需要完全理解那些復雜的數(shù)學公式和存在于EMC規(guī)范中的學理依據(jù)，只要藉由簡單的數(shù)學模型，就能夠明白 要如何達到EMC的要求。
本文藉由簡單的數(shù)學公式和電磁理
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EMI EMC
目前對于許多流行的手機(尤其是翻蓋型手機)而言，手機的彩色LCD、OLED顯示屏或相機模塊CMOS傳感器等部件，都是通過柔性電路或長走線PCB與基帶控制器相連的，這些連接線會受到由天線輻射出的寄生GSM/CDMA頻率的干擾。同時，由于高分辨率CMOS傳感器和TFT模塊的引入，數(shù)字信號要在更高的頻率上工作，這些連接線會像天線一樣產(chǎn)生EMI干擾或可能造成ESD危險事件。
上述這種EMI及ESD干擾均會破壞視頻信號的完整性，甚至損壞基帶控制器電路。受緊湊設計趨勢的推動，考慮到電路板空間、手機工作頻率上
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EMI ESD
引言
“The Twist”指雙絞線，Alexander Graham Bell于1881年申請該項專利。而該項技術一直沿用到今天，原因是它提供了諸多便利。此外，隨著現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)器件處理能力的逐漸強大，結(jié)合電路仿真及濾波器設計軟件，使得雙絞線在數(shù)據(jù)通信領域的應用也越來越普遍。
FPGA為設計工程師提供了強大、靈活的控制能力，特別是那些無法獲取專用集成電路(ASIC)的小批量設計項目，可以利用FPGA實現(xiàn)設計;許多大批量生產(chǎn)的產(chǎn)品，在項目設計初期也利用
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RFI EMI
過去，示波器很難用于EMI調(diào)試，因為它沒有捕獲EMI輻射信號所需要的靈敏度，F(xiàn)FT頻譜分析功能也不夠強大，而且使用起來很復雜。
圖1：R RTO數(shù)字示波器——低噪聲前端和高級FFT分析能力使它成為強大的EMI調(diào)試工具
R&S公司的RTO數(shù)字示波器的出現(xiàn)，使情況完全改觀。它在4GHz范圍內(nèi)都具有1mV/div靈敏度，有非常低的固有噪聲，這使它成為使用近場探頭捕獲和分析EMI輻射的理想工具?；贓MC一致性測試結(jié)果，該示波器成為極為理
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示波器 EMI
印刷電路板布局決定著所有電源的成敗，決定著功能、電磁干擾(EMI)和受熱時的表現(xiàn)。開關電源布局不是魔術，并不難，只不過在最初設計階段，可能常常被 忽視。然而，因為功能和EMI要求都要必須滿足，所以對電源功能穩(wěn)定性有益的安排也常常有利于降低EMI輻射，那么晚做不如早做。還應該提到的是，從一開始就設計一個良好的布局不會增加任何費用，實際上還可以節(jié)省費用，因為無需EMI濾波器、機械屏蔽、花時間進行EMI測試和修改PC板。
此外，當為了實現(xiàn)均流和更大的輸出功率而并聯(lián)多個DC/DC開關模式穩(wěn)壓器時，潛在的
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EMI DC/DC
電磁兼容設計通常要運用各項控制技術，一般來說，越接近EMI源，實現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征，可以簡化PCB和系統(tǒng)級設計中的EMI控制。
在考慮EMI控制時，設計工程師及PCB板級設計工程師首先應該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(例如CMoS、ECI)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。
集成電路EMI來源
PCB中集
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EMI PCB
解決EMI問題的辦法很多，現(xiàn)代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設計等。本文從最基本的PCB布板出發(fā)，討論PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設計技巧。
電源匯流排
在 IC的電源引腳附近合理地安置適當容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而，問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應的特性，這使得電容無法 在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降，這些瞬態(tài)
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PCB EMI
當今高速數(shù)字接口使用的數(shù)據(jù)傳輸速率超過許多移動通信設備(如智能手機和平板電腦)的工作頻率。需要對接口進行精心設計，以管理接口產(chǎn)生的本地電磁 輻射，避免接口信號受其他本地射頻的干擾。本文探討了管控高速數(shù)字接口EMI的若干最重要技術，說明了它們是如何有助于解決EMI問題的。
小尺寸且低成本的高速串行(HSS)接口對那些必須要體積小、功耗低、重量輕的移動設備尤為可貴。當移動設備必須與遠程網(wǎng)絡通信時，會發(fā)生電磁干擾(EMI)，因為現(xiàn)代HSS接口使用的數(shù)據(jù)速率往往高于移動設備所使用的無線通信頻率。
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EMI 數(shù)字接口
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。
從開關節(jié)點到輸入引線的少量寄生電容(100 毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會因寄生問題而提供寬泛的容差。
不過，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。
圖1是這些非計劃中電容的一個實例。圖中的右側(cè)是一個垂直安裝
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EMI 電容器
磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多 用于信號回路，用于EMC對策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導性干擾。磁珠是用來吸收超高頻信號，象一些RF電 路，PLL,振蕩電路，含超高頻存儲器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠，兩者都可用于處理EMC、EMI問題。
磁 珠和電感在EMI和EMC電路中關鍵是是對高頻傳導干擾信號進行抑制，也有抑制
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EMI EMC
0 引言
現(xiàn)代通信，電子、電氣設備的正常工作都離不開電源。通信電源在通信設備中具有不可比擬的重要地位。隨著通信事業(yè)的飛速發(fā)展，手機、電話、電腦等通信工具走人人們的生活，已經(jīng)變得越來越普遍。通信設備的不斷更新，對于通信開關電源的要求也越來越高。通信開關電源具有體積小、重量輕、效率高、工作可靠等優(yōu)點，廣泛應用于光數(shù)據(jù)傳輸、程控交換、無線基站、有線電視系統(tǒng)及IP網(wǎng)絡中，是電子電氣設備正常工作的“心臟”。
1 通信開關電源的干擾
通信開關電源要穩(wěn)定工作就要有很強的抗電
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EMC 開關電源
1 引言
電力電子設備包括兩部分，即變換部分與控制部分。前者屬于功率流強電范疇，后者屬于信息流弱電范疇。一般情況下前者是主電磁干擾源，后者是被干擾對象。為了使電力電子設備可靠地運行，除了解決變換部分與控制部分之間的電氣隔離外，還要解決控制部分的抗電磁干擾的問題，特別是當變換部分處于高電壓、強電流、高頻變換情況下尤其重要?？垢蓴_問題實質(zhì)上是解決電力電子設備的電磁兼容問題。
隔離技術是電磁兼容性中的重要技術之一。下面將電磁兼容中的隔離技術分為磁電、光電、機電、聲電和浮地等幾種隔離方式加以敘述。
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EMC 電磁兼容
隨著產(chǎn)品復雜性和密集度的提高以及設計周期的不斷縮短，在設計周期的后期解決電磁兼容性(EMC)問題變得越來越不切合實際。在較高的頻率下，你通常用來計算EMC的經(jīng)驗法則不再適用，而且你還可能容易誤用這些經(jīng)驗法則。結(jié)果，70% ~ 90%的新設計都沒有通過第一次EMC測試，從而使后期重設計成本很高，如果制造商延誤產(chǎn)品發(fā)貨日期，損失的銷售費用就更大。為了以低得多的成本確定并解決問題，設計師應該考慮在設計過程中及早采用協(xié)作式的、基于概念分析的EMC仿真。
較高的時鐘速率會加大滿足電磁兼容性需求的難度。在千
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EMC ASIC
規(guī)律一、EMC費效比關系規(guī)律： EMC問題越早考慮、越早解決，費用越小、效果越好。
在新產(chǎn)品研發(fā)階段就進行EMC設計，比等到產(chǎn)品EMC測試不合格才進行改進，費用可以大大節(jié)省，效率可以大大提高;反之，效率就會大大降低，費用就會大大增加。
經(jīng)驗告訴我們，在功能設計的同時進行EMC設計，到樣板、樣機完成則通過EMC測試，是最省時間和最有經(jīng)濟效益的。相反，產(chǎn)品研發(fā)階段不考慮EMC，投產(chǎn)以后發(fā)現(xiàn)EMC不合格才進行改進，非但技術上帶來很大難度、而且返工必然帶來費用和時間的大大浪費，甚至由于涉及到結(jié)構設
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EMC 環(huán)路電流
本文詳細闡述了混合集成電路電磁干擾產(chǎn)生的原因,并結(jié)合混合集成電路的工藝特點提出了系統(tǒng)電磁兼容設計中應注意的問題和采取的具體措施,為提高混合集成電 路的電磁兼容性奠定了基礎。
1引言
混合集成電路(Hybrid Integrated Circuit)是由半導體集成工藝與厚(薄)膜工藝結(jié)合而制成的集成電路。混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線,并在同一基片上將分立的半導體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝,再外加封裝而成。具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等特點。
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集成電路 EMC
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