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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫(xiě)為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為，您應(yīng)該很容易認(rèn)識(shí)到該模型與事實(shí)不符。首先，F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)（我們?cè)诖?/li>
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

中國(guó)上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。&nbs
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開(kāi)始專(zhuān)注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)及銷(xiāo)售，在半導(dǎo)體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導(dǎo)體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地，超過(guò)1400名員工，保證了其1.8億只的日產(chǎn)能，讓其旗下產(chǎn)品可以出現(xiàn)在任何需要它們的地方。今天展會(huì)之上，先之科為我們帶來(lái)了豐富的產(chǎn)品，包括各類(lèi)二極管、整流管、保護(hù)器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車(chē)電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算

功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每?jī)赡昃头环Ｊ聦?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì)高達(dá)60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩(wěn)步增
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SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車(chē)延長(zhǎng)5%里程的秘訣

不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識(shí)/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來(lái)越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著人們選用電動(dòng)汽車(chē) (EV)，令電動(dòng)汽車(chē)日益普及。高盛近期的一項(xiàng)研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的 10%；到 2030 年，預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將有可能占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長(zhǎng)，則是影響電動(dòng)汽車(chē)普及的主要障礙之一?？朔@一問(wèn)題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長(zhǎng)車(chē)輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護(hù)！

假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無(wú)恙嗎？您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會(huì)瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴(yán)酷環(huán)境中?即使此類(lèi)事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負(fù)電源電壓，設(shè)計(jì)人員慣常的做法是布設(shè)一個(gè)與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級(jí)空間，又會(huì)在高負(fù)載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
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了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開(kāi)發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開(kāi)發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡(jiǎn)介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。EiceDRIVER?增強(qiáng)型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達(dá)2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護(hù)、
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100W MOSFET功率放大器電路

我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級(jí)功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動(dòng)級(jí)是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類(lèi)工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級(jí)差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號(hào)
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高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計(jì)理念

合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSF
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