- 經濟部統(tǒng)計處資料顯示，臺灣集成電路業(yè)產值雖持續(xù)成長，但去年增率卻是近三年來首見個位數成長，也結束自2011年以來的上升走勢，臺灣經濟部指出，去年臺灣DRAM產值成長由正轉負，加上晶圓代工成長下滑，整體集成電路業(yè)產值年增率僅6.2%。
臺灣集成電路產值在2014年產值突破兆元大關，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長23.9%，但下半年因全球經濟復蘇力道疲弱，尤其新興市場需求明顯下降，抑制終端消費性電子產品銷售成長動能，下半年衰退7.9%。
去年集成電路業(yè)產值增率6.2%，是自2011年低點反
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DRAM 晶圓
- 清華紫光集團所屬的清華控股董事長徐井宏，昨天在瑞士達沃斯的世界經濟論壇現場，接受彭博訪問時坦承，由于美國主管機關豎立的障礙，美光投資案過關的機會渺茫，但紫光集團仍持續(xù)推動與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領域取得突破。
他表示，紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。
徐井宏也透露，清華紫光集團旗下的3大平臺之中，主攻DRAM的同方國芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購并對象。
徐井宏也提到，2016紫光集團的海
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紫光 DRAM
- 三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產HBM2標準(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術協(xié)會12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標準“JESD235A”。
HBM2標準的DRAM芯片的結構。
按照HBM2標準，DRAM芯片內可縱向層疊最大8Gbit的存儲器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務器用
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三星 DRAM
- 日前美光(Micron)公布最新1季結果表現不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。
評論認為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價格淡季，而且PC與移動裝置帶動DRAM成長有限，因此DRAM廠商表現黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強布局3D XPoint技術必要性。
據SemiWiki網站報導，DRAM已成為半導體產業(yè)最終普遍性產品，因此，相當容易受到供需平衡變化而導致價格改變。加上目前正處于需求弱但供應強階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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美光 DRAM
- 迅速邁向“大國”的中國也在世界上引發(fā)摩擦，自主的行為原則與現有的國際秩序不兼容，在經濟減速局面下的經濟改革時而動搖市場，中國的真實情況到底是什么呢。
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紫光 DRAM
- 2016年中國持續(xù)發(fā)展半導體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，記憶體方面更是中國發(fā)展的重點項目之一。
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DRAM
- DRAM市場供過于求，而分散營收的努力尚待開花結果，導致美光(Micron)最新一季營收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂觀。
華爾街日報(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報導，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會計年度第1季財報，營收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。
在展望方面，美光預測本季營收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
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美光 DRAM
- 市場是開放了，技術依然要自己發(fā)展，包括華為等過去幾十年發(fā)展起來的巨頭沒有一家是通過市場換技術換來而是通過自身努力崛起的。
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DRAM
- 美光這次算盤打得好啊，曲線救國了，這下有了籌碼，再也不不用提心吊膽了。
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美光 DRAM
- 韓國三星電子于2015年12月9日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講(論文26.5)。三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，該公司表示其特性非常良好，并表示“采用同樣的方法，可以達到10nm工藝”?！ ∽罱屑夹g人員指出DRAM的微細化極限是20nm。DRAM在單元中的電容器中儲存電荷，對有電荷狀態(tài)分配1、無電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細化發(fā)展，電容器的表面積越來越小，不能再如愿存儲電荷。因此，業(yè)內通過將電容器做成細長的圓柱狀來確保表面積，也就是
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三星 DRAM
- 外媒一天總是這么喪心病狂，為自家企業(yè)說話，已經到了明目張膽的地步了。
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高通 DRAM
- 根據ComputerWorld報導，美國存儲器大廠美光(Micron)有意在12月底結束在波多黎各的DRAM模組廠，將生產設備轉移至大陸。 美光位于波多黎各Aguadilla的DRAM模組廠占地約4.8萬平方英呎，雇用約200余名勞工。美光表示，迫于市場壓力，該公司將在12月30日結束在波多黎各的DRAM模組廠，產線將遷移至大陸西安。 大陸半導體業(yè)對外購并的消息不斷，甚至不惜傾政府之力投入，拉拔半導體產業(yè)，先前清華紫光有意出價230億美元購并美光的消息也甚囂塵上。美國國會議員Dana Rohrab
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美光 DRAM
- 中國傾全力提高芯片自制比率，對全球半導體業(yè)產生強烈磁吸效應，不僅臺積電擋不住，美國內存大廠美光(Micron)7日也傳出遷廠中國消息。
據ComputerWorld報導，美光月底打算收掉位在波多黎各的DRAM工廠，生產設備準備搬到中國，將導致185名當地員工失業(yè)，這對失業(yè)率已超過12%的波多黎各，無疑是雪上加霜。
美光已為島上即將失業(yè)的員工申請政府救濟，美光并在聲明稿上表示，遷廠是受迫于市場壓力，在尋無可行替代方案后所做成的決定。
雖然美光在聲明稿上絕口不提中國，但中國絕對是美光遷廠
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美光 DRAM
- 中國“爆買”全球，先入股美商、吃下新加坡公司，再挖臺灣人才，從山寨大王搖身一變，中國開始同時扮演游戲參與者與規(guī)則制定者的雙重角色，對全亞洲而言，無法回避，大陸半導體的崛起要重新審視了。
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半導體 DRAM
- 表示8G已經老貴了，128想都不要想，還是老老實實升級個固態(tài)硬盤才是王道。
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三星 DRAM
dram 介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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