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EEPW首頁 >> 主題列表 >> di／dt

什么是dV/dt失效

  • 如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度
  • 關鍵字： 羅姆半導體  dv  dt  

Limata創(chuàng)新型的LUVIR技術加速PCB防焊量產制程

  • 專業(yè)LDI設備制造商Limata日前正式發(fā)布其獨有的、經過市場驗證的適用于所有X系列產品的LUVIR技術?。此獨特的LDI技術在降低設備維護成本的同時，能顯著提高防焊油墨的成像速度。創(chuàng)新的技術降低了成像需求UV光的能量，同時帶來成像速度的提升在PCB制造制程中，防焊油墨的成像品質一直受到不斷提升的對位精度和成像精度要求的挑戰(zhàn)。相對于干膜成像，防焊油墨的成像需要更高的UV能量。因此市場上多波長DI的解決方案（多波長對應于UV光波段）對高產出的需求而言太慢，生產廠家的成本也更高（更多的成像單元或更多機臺需求）
  • 關鍵字： UV  IR  DI  

歐司朗第三財季危機管理取得成效，有信心實現(xiàn)財年預期

  • 通過在全球層面采取危機管理等應對措施，歐司朗在第三財季有效降低了疫情影響。歐司朗第三財季營業(yè)收入為6.06億歐元，在一年內可比基礎上下降29.4%，但與行業(yè)主要銷售市場相比，表現(xiàn)好于預期?？鄢厥忭椖壳?，稅息折舊及攤銷前利潤（EBITDA）為負2,700萬歐元，遠高于預期。其中，汽車業(yè)務（AM）受疫情沖擊最嚴重，而光電半導體業(yè)務（OS）則有著良好表現(xiàn)，與預期相符。由于資金流動性的有效管理，全公司的自由現(xiàn)金流控制在負700萬歐元。-? ?受疫情沖擊營業(yè)收入下降，仍優(yōu)于行業(yè)整體表現(xiàn)-&nb
  • 關鍵字： OS  AM  DI  

關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  • 　　王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054）　　摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?！　￡P鍵詞：IGBT；
  • 關鍵字： 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

  • 數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關：信號傳播的整個路徑，包
  • 關鍵字： DT  DV  DL  電壓突變  

如何處理高di/dt負載瞬態(tài)（上）

  • 高 di/dt 負載需要仔細考慮旁路問題以保持電源動態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非?？拷撦d以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接（其使用了更短的尺寸用于電流）的部件來實施。
  • 關鍵字： di/dt  德州儀器  電源設計小貼士  電源管理  

德國慕尼黑電子展的三大主旋律：創(chuàng)新，安全，無線

  • 作者/ 王瑩 ? 電子產品世界編輯創(chuàng)新　　德國慕尼黑，11月7日，《電子產品世界》編輯第一次來到了慕名已久的electronica(慕尼黑電子展)。11月7日晚，創(chuàng)新設計家兼未來學家Vto Di Bari教授在electronia組委會舉辦的官方歡迎晚宴上做了“明天可連接世界中的一天生活”的主題演講?！　∪藗冋J識事物通常是1個H和5個W，即怎樣(How)、何時(When)、為什么(Why)、什么(what)、哪里(where)和誰(who)。我們可以假設一個動物在自然界如何捕食其他動物，然后再推
  • 關鍵字： 德國慕尼黑  Vto Di Bari  NXP CEO Rick Clemmer  201612  

深度解讀阿里云六年成長歷程：向DT世界轉型

  • 　　6年前，云計算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長為全球領先的云計算服務平臺，開始分享對于DT世界、云計算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護以及未來核心技術等方向的判斷。 　　7月22日，首屆阿里云分享日×云棲大會北京峰會召開，吸引了海內外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會上，阿里云集中發(fā)布了11款新產品、50多個行業(yè)解決方案;向企業(yè)級用戶開放互聯(lián)網(wǎng)架構解決方案;首次披露云計算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護倡議，明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有，平臺方不得移作它用。
  • 關鍵字： 阿里云  DT  

DT大蛋糕 蘋果能否分得一杯羹

  • 　　6月9日，據(jù)國外媒體報道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡，同時還在升級自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領域的競爭實力，從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務領域展開更好的競爭。 　　目前為止，蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡供應商和技術供應商來支持該公司的消費者服務，例如iTune音樂和電影服務、iCloud存儲圖片和其它內容服務、以及Siri語音助手服務。未來一段時間，蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務和產品供應商，因而目前該公司也在積極尋求措施來提升自己當前的基礎設施。 　　據(jù)知
  • 關鍵字： 蘋果  DT  

阿里巴巴全球布局數(shù)據(jù)中心 謀DT時代戰(zhàn)略

  • 雖然聽起來挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機一鏟子挖壞了呢，難道沒有容錯機制？阿里快長點心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災難性的事故了。
  • 關鍵字： 阿里巴巴  DT  

數(shù)位儀表設計-HY12P65簡化可攜式電量測量設計

  • 　　一、?前言　　在可攜式電量測量設備中，常見有數(shù)位式復用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設備可用來測量出電量中的電壓及電流，電量訊號又可分成直流及交流，而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉換量測。平均值轉換的電量測量設備并非真正測量方均根值，而是以正弦波交流信號，做信號平均值測量，校正所得到的量值。對于非正弦波而言，可能會有相當程度的誤差。因此很
  • 關鍵字： HY12P65  SDADC  DT-RMS  

探索諾基亞無線充電支架DT-910的內部結構

  • 日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機圖，請大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個旗艦產品的一級外配。...
  • 關鍵字： DT-910  無線充電  諾基亞  

晶閘管燒壞的真實原因解析

  • 摘要：文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實原因，解開了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
    關鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開通時間；關斷時間

    晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性
  • 關鍵字： 晶閘管  dv／dt  di／dt  開通時間  關斷時間  

可控硅dIT/dt測試線路的設計與測量

  • 摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數(shù)，過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效，故設計一個能準確測量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關鍵。本文設計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路，并介紹了它的測試原理與測試方法，且測量了市場上的BTA208-600B，得出了測試結果，與該產品說明書的值一致。可應用于研發(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測試可控硅。
  • 關鍵字： 測試  可控硅  dIT/dt  201208  

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

  • 在工業(yè)、汽車和航空電子應用中，經常會遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場合還需要在此過程中可靠地運作。在那些通過長導線供電的系統(tǒng)中，負載階躍 (負載電流的突然變化) 將產生嚴重的瞬變。
  • 關鍵字： 凌力爾特  電阻器  dI/dt  
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