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ddr5 mrdimm 文章 最新資訊

中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴重影響,生產中斷,拖累DDR5量產,不過美光方面否認了相關報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經開始恢復生產,但是臨時中斷產線已經帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內存量產的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關注國際性新冠
  • 關鍵字： 美光  內存  DDR5  

中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴重影響,生產中斷,拖累DDR5量產,不過美光方面否認了相關報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經開始恢復生產,但是臨時中斷產線已經帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內存量產的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關注國際性新冠
  • 關鍵字： DDR5  美光  

美光交付全球首款量產的LPDDR5芯片

  • 美光科技近日宣布已交付全球首款量產的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機。
  • 關鍵字： 美光科技  DDR5 DRAM 芯片  

美光出樣DDR5內存：1Znm工藝、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內存，但是下一代DDR5內存已經近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內存使用了最新的1Znm工藝
  • 關鍵字： 美光  內存  DDR5  

Intel開始出貨10nm Agilex FPGA：DDR5、PCIe 5.0

  • Intel 10nm工藝雖然有些姍姍來遲，但是布局深廣，包括面向筆記本和服務器的Ice Lake、3D立體封裝的Lakefield、面向5G基礎設施的Snow Ridge，還有一款全新的FPGA。
  • 關鍵字： 英特爾  10nm  DDR5  FPGA  PCIe 5.0  

美光正在為DDR5擴大產能 并迅速轉向更先進工藝技術

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產品的強勁需求表示了信心，該公司還概述了擴大產能的計劃，并迅速轉向更先進的工藝技術。
  • 關鍵字： 美光  DDR5  DRAM  

SK海力士：DDR5內存2020年推出，起步5200MHz

  • 近日，SK海力士負責人在接受采訪時表示，準備在2020年發(fā)布DDR5內存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內存也開始策劃了，將在5~6年內研發(fā)。
  • 關鍵字： SK海力士  DDR5  

SK海力士首發(fā)標準DDR5內存

  • 　　SK海力士官方宣布，公司已經研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5?！　?jù)介紹，新內存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造，電壓是標準的1.1V，相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗，同時工作頻率高達5200MHz，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，帶寬也高達41.6GB/s，可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產這款新型DDR5內存顆粒。　　市調機構IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內存需求將在20
  • 關鍵字： SK海力士  DDR5  

DDR5內存芯片：美光在2019新策略

  • 　　隨著科技的發(fā)展，DIY行業(yè)又一次迎來了春天，各類產品層出不窮，而美光成為內存的老牌廠商，為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備，近日，內部有消息稱，美光已經開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產品，并計劃在2019年底量產?！　∽鳛镈DR4內存的繼任者，DDR5內存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日，美光正式公布了DDR5內存的詳細規(guī)格?！　拿拦夤嫉奈募砜?，DDR5內存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內存帶寬將為DDR4內存的兩倍?！　?/li>
  • 關鍵字： DDR5  美光  

美光推進DDR5內存芯片：2019年底量產

  • 　　盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標準尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產品，并計劃在2019年底量產?！　∈聦嵣?，早在今年5月，Cadence就展示了首款DDR5內存驗證模組，DRAM來自美光，接口層自研，采用臺積電7nm工藝，數(shù)據(jù)率可達4400MT/s，也就是頻率高達4400MHz?！　「鶕?jù)美光的最新說法，其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產，基于18nm以下工藝，這就意味著，搭載DDR5內存模組的系統(tǒng)最快2020年面世?！　“凑者M度，JEDEC
  • 關鍵字： 美光  DDR5  

DDR5可望成為下一代主流存儲器接口？

  • 老的DDR4能不能降個價，現(xiàn)在實在買不起。
  • 關鍵字： DDR5  存儲器  

DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

  • 　　內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規(guī)格制定工作已經開始，計劃明年定稿。 　　據(jù)悉，用于服務器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。 　　同時，針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備，還會推出低電壓版的LPDDR5內存。 　　雖然看起來DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時代將在DDR4生命周期結束時謝幕。 　　分析師認為，DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域，隨后才會逐漸向下普及。但
  • 關鍵字： DDR5  DDR4  

DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

  • 　　內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規(guī)格制定工作已經開始，計劃明年定稿。 　　據(jù)悉，用于服務器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。 　　同時，針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備，還會推出低電壓版的LPDDR5內存。 　　雖然看起來DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時代將在DDR4生命周期結束時謝幕。 　　分析師認為，DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域，隨后才會逐漸向下普及。但
  • 關鍵字： DDR5  DDR4  

DDR5/GDDR6/LPDDR5/HBM3都來了

  • 　　Hot Chip 2016大會上，內存技術突然成了一大熱點，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面，明后兩年陸續(xù)就能見到。 　　這份發(fā)展規(guī)劃主要來自存儲大廠三星，美光也提出了一些想法，而新規(guī)范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。 　　   　　DDR5內存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。 　　美光計劃2019年量產DDR5，三星
  • 關鍵字： DDR5  LPDDR5  

DDR5內存詳細規(guī)格公布：2020年普及

  • 　　今天，鎂光正式公布了DDR5內存的詳細規(guī)格。作為DDR4內存的繼任者，DDR5內存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看，DDR5內存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內存帶寬將為DDR4內存的兩倍。 　　此外，鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內存將從3200Mhz起步，主流內存頻率可達6400Mhz。 　　同時，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內存樣品，并將在2019年實現(xiàn)正式量產。 　　據(jù)業(yè)內人士估計
  • 關鍵字： 鎂光  DDR5  
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