ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
全球新式存儲(chǔ)器大戰(zhàn) 臺(tái)控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)新技術(shù)3D XPoint,可取代既有DRAM和NAND Flash芯片,業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD),臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃,成為首家控制芯片供應(yīng)商,2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過,相關(guān)消息仍待慧榮正式對(duì)外宣布。 存儲(chǔ)器業(yè)者表示,包括美光和英特爾的IM Flash陣營對(duì)于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊,業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的新
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林文伯: DRAM壞了半導(dǎo)體景氣
- 封測大廠硅品精密昨(29)日召開法說會(huì),素有半導(dǎo)體景氣鐵嘴之稱的董事長林文伯直言,下半年景氣能見度很低,只能期待第4季出現(xiàn)急單效應(yīng)。林文伯指出,DRAM價(jià)格跌那么兇,說不定今年半導(dǎo)體市場可能不會(huì)成長。至于后段封測市場雖然數(shù)量成長,但營收規(guī)模大概只會(huì)較去年持平或小幅成長。 受到上游客戶調(diào)整庫存影響,硅品預(yù)估第3季營收介于186~198億元,較第2季衰退6.8~12.4%,毛利率介于22.5~24.5%,營業(yè)利益率介于12.5~14.5%,低于市場預(yù)期。昨日法說會(huì)中,法人不斷詢問林文伯對(duì)半導(dǎo)體景氣看
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臺(tái)灣電子業(yè)大老:下半年會(huì)更苦
- 全球經(jīng)濟(jì)不振,電子業(yè)大老看下半年轉(zhuǎn)趨保守。中華電董事長蔡力行、友達(dá)董事長彭雙浪等皆認(rèn)為,下半年景氣更為辛苦,南亞科副總李培瑛也表示,世界經(jīng)濟(jì)難有顯著好轉(zhuǎn),今年DRAM產(chǎn)品價(jià)格要V型反彈機(jī)會(huì)不高,彭雙浪更直言,高庫存的壓力,面板景氣開始反轉(zhuǎn),直接從春天走入秋天。 中華電董事長蔡力行昨出席2015科技論壇“決戰(zhàn)物聯(lián)網(wǎng)”時(shí)表示,以出口趨勢來看臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)下半年景氣會(huì)比較辛苦,臺(tái)灣不能只靠iPhone,政府和企業(yè)要更聚焦振興經(jīng)濟(jì)。 臺(tái)灣不能只靠iPhone 他說,現(xiàn)在社會(huì)
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DRAM慘!SK海力士Q3難好轉(zhuǎn)、轉(zhuǎn)攻NAND救火
- 南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SK Hynix)第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期,分析師預(yù)估,由于個(gè)人電腦(PC)的DRAM需求持續(xù)疲軟,SK海力士本季表現(xiàn)恐怕難有起色。 韓聯(lián)社24日?qǐng)?bào)導(dǎo),SK海力士Q2營益為1.37兆韓圜(11.8億美元),不及分析師估計(jì)的1.44兆韓圜。NH Investment & Securities Co.分析師Lee Sae-chul指出,PC DRAM需求欠佳,8月份為止價(jià)格將持續(xù)下滑,到9月才會(huì)回穩(wěn),因此SK海力士Q3的DRAM營益會(huì)與前季持平;不過,下半年該公司的NAN
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大陸與韓國DRAM戰(zhàn)局全面啟動(dòng) 恐牽動(dòng)全球DRAM版圖變化
- 大陸清華紫光集團(tuán)對(duì)美光(Micron)提出收購案,美光已公開拒絕,半導(dǎo)體業(yè)者透露,由于美光要求產(chǎn)能絕對(duì)掌控權(quán),但大陸志在技術(shù),無意復(fù)制華亞科模式,使得雙方談判觸礁,大陸公開美光收購案,有意向SK海力士(SK Hynix)喊話,DRAM策略結(jié)盟正暗潮洶涌,這一場大陸與美、韓DRAM競賽才剛鳴槍起跑。 清華紫光直接對(duì)美光提出收購案,大陸擴(kuò)大半導(dǎo)體版圖決心已昭然若揭,事實(shí)上,大陸存儲(chǔ)器發(fā)展策略是大陸人民幣1,200億元國家IC產(chǎn)業(yè)投資基金的一環(huán),從2014年著手策劃至今已陸續(xù)就定位,在生產(chǎn)基地方面,經(jīng)
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DRAM 下半年傳供給過剩,恐再淪慘業(yè)
- 外傳美光對(duì)中國紫光集團(tuán)收購案興趣缺缺,不過 DRAM 業(yè)者或許不能就此掉以輕心。據(jù)稱南韓記憶體大廠三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)都積極擴(kuò)產(chǎn),市場卻因電腦和智慧手機(jī)買氣疲弱,需求萎靡,下半年 DRAM 或許將陷入供給過剩,價(jià)格再受重壓。 韓媒 BusinessKorea 21 日?qǐng)?bào)導(dǎo),業(yè)界人士透露,三星電子在華城(Hwaseong)17 線廠生產(chǎn) DRAM,當(dāng)前每月平均產(chǎn)量為 3 萬至4 萬片晶圓,占三星 DRAM 總產(chǎn)量 10%,該公司計(jì)劃明年之前,都會(huì)
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揭秘美光:DRAM霸主養(yǎng)成記 紫光能收?
- 據(jù)報(bào)載,中國大陸清華紫光集團(tuán)擬以230億美元的高價(jià)收購美國 DRAM大廠美光,引起業(yè)界震撼。2014年第4季,美光DRAM市占率居全球第三,僅次于韓國三星與海力士,為國際間唯一可以與韓國抗衡的DRAM廠商。紫光的收購行動(dòng)無異又增強(qiáng)紅色供應(yīng)鏈的實(shí)力,顯示中國大陸發(fā)展半導(dǎo)體的決心。 事實(shí)上,美光的成長茁壯本身就是一個(gè)傳奇。它是唯一成功戰(zhàn)勝1980年代日本DRAM廠商沖擊與1990年代韓國崛起的美國廠商。該公司過去不敗的傳奇,正可作為我國因應(yīng)韓國競爭與大陸紅色供應(yīng)鏈崛起的參考。 1980年代中期
- 關(guān)鍵字: DRAM 美光
大陸打造半導(dǎo)體供應(yīng)鏈
- 去年中國市場進(jìn)口DRAM總金額達(dá)到102億美元,吃下全球五分之一產(chǎn)能。為了減少入超,官方主導(dǎo)的“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(國家大基金)”在全球大肆收購企業(yè),透過進(jìn)口替代,打造完整的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。 研究機(jī)構(gòu)集邦科技統(tǒng)計(jì),2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美元,占全球營業(yè)額約20%。其中,行動(dòng)式記憶體(Mobile DRAM)在中國大陸的營業(yè)額就達(dá)到56億美元。顯示大陸在近幾年智慧型手機(jī)及行動(dòng)上網(wǎng)普及后,市場強(qiáng)勁的消費(fèi)潛力。 集邦科技指出,中國市場半導(dǎo)體包
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從紫光并購美光看我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心
- 中國大陸紫光集團(tuán)有意以每股21美元、總價(jià)230億美元(超過7千億新臺(tái)幣)購并美國美光科技,消息傳出撼動(dòng)全球科技界,DRAM龍頭韓國的三星和SK海力士當(dāng)日股價(jià)分別重挫3.24%及6.66%,更直接反映此一購并案對(duì)DRAM市場的未來沖擊。 盡管業(yè)界評(píng)估紫光此次購并美光難度極高,因?yàn)榘雽?dǎo)體仍受美國國安監(jiān)控,尤其美光部分產(chǎn)品線是為美國軍方單位量身打造,美國官方批準(zhǔn)可能性微乎極微。不過此案的發(fā)展關(guān)乎臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存,我們以為無論購并是否成功,其趨勢都有深入關(guān)注的必要。
- 關(guān)鍵字: 紫光 DRAM
Gartner調(diào)降半導(dǎo)體預(yù)測 DRAM明后年皆衰退
- 電子業(yè)景氣趨緩,市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)最新研究報(bào)告將今年全球半導(dǎo)體成長率從4%下修到2.2%,其中,近2年成長動(dòng)能最高的DRAM業(yè),明后年將連續(xù)2年衰退,其中明年衰退幅度高達(dá)17.4%。 Gartner表示,2015年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估將達(dá)到3480億美元,年增2.2%,但低于上一季預(yù)測的4.0%成長目標(biāo)。 Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示:“帶動(dòng)半導(dǎo)體市場的主要應(yīng)用,包括PC、智慧型手機(jī)與平板等前景都已向下修正。再加上美元走強(qiáng),對(duì)主要市場的需求造成沖擊
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SEMI:未來臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可維持成長態(tài)勢
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)表示,過去五年,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市占率不斷增加,不僅在晶圓代工和封裝測試市場的占有率有所提升,同時(shí)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中先進(jìn)技術(shù)的市場領(lǐng)域亦見成長。不僅如此,臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在尖端技術(shù)上的持續(xù)投資,也將為后續(xù)幾年進(jìn)一步的發(fā)展而鋪路。 盡管世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)預(yù)測,2015和2016年全球半導(dǎo)體市場將各別小幅成長3.4%,但臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻能以高于全球兩倍的速度成長,其中在晶圓代工、DRAM和后段封裝測試廠商的貢獻(xiàn)下,將為臺(tái)灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來更強(qiáng)勁的漲幅。尤其是
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三星最快7月啟動(dòng)DRAM 17產(chǎn)線 對(duì)手或跟進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)
- 三星電子(Samsung Electronics)最快將于7月啟動(dòng)在韓國京畿道華城的17產(chǎn)線。在初期稼動(dòng),17產(chǎn)線預(yù)定僅啟動(dòng)整體生產(chǎn)能力(CAPA)的10~30%。雖然不會(huì)立即對(duì)目前DRAM市場產(chǎn)生巨大影響,但不排除競爭對(duì)手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟進(jìn)加速擴(kuò)產(chǎn)競爭的可能性。 據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)在第3季投產(chǎn)17產(chǎn)線DRAM。預(yù)定投入20納米DRAM制成的17產(chǎn)線,目前設(shè)備已經(jīng)全數(shù)搬入,并進(jìn)入試驗(yàn)稼動(dòng)中,最快將于7月或8月正式投產(chǎn)。 熟稔三星
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武,準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備,積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程,拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo),記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash,新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比,差別在于從平面改為立體,能層層堆疊,提高效能。據(jù)了解,由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash,顯影制程不變,但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%,需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解,三星最早量產(chǎn)3D
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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