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MOS管驅(qū)動電路綜述連載(二)
- 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
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MOS管驅(qū)動電路綜述連載(一)
- 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
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MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。...
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MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 本文詳細分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知...
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MOS-FET開關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
- 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
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集成電路布圖設(shè)計登記:數(shù)量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)
- 2008年,受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響,中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長,但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新,知識產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權(quán)保護形式,集成電路布圖設(shè)計登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。 最近,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計登記2008年度報告,本期刊登部分節(jié)選,供業(yè)界研究參考。 本報告數(shù)據(jù)
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