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cmos-led 文章 最新資訊

適用于汽車應(yīng)用的高亮度LED驅(qū)動電路

  • 近年來，高亮度LED應(yīng)用發(fā)展神速，特別是在指示牌、交通信號燈方面。而對汽車應(yīng)用來說，LED亦有極大的吸引力，長壽命、抗震、高效、對光源良好的控制能力，都是它的優(yōu)勢。當(dāng)然，相對于白熾燈，LED需要驅(qū)動電路，還有汽
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大功率LED作為大屏幕液晶顯示器背光的電流分配問題解決方案

  • 因為冷陰極熒光燈(CCFL)成本非常低，通常大屏幕液晶顯示器(LCD)使用CCFL作為背光源產(chǎn)生均勻的白光。不過將發(fā)光二極管(LED)用作背光燈正在引起主要制造商們的注意。LED在尺寸、能量效率、光譜純度、機(jī)械強(qiáng)度、可靠性
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功率與控制的結(jié)合使LED照明方案靈活、簡便

  • 經(jīng)濟(jì)動蕩不安的時代傳達(dá)給設(shè)計工程師的信息非常明確， 那就是省錢!這一點(diǎn)在LED 成本還很高的照明解決方案中顯得尤為重要。賽普拉斯的 PowerPSoC ―― 嵌入式電源控制器有助于降低LED照明方案的成本。PowerPSoC的集成
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專家解讀LED產(chǎn)業(yè)的投資機(jī)會和市場戰(zhàn)略

  • 　　LED產(chǎn)業(yè)的投資機(jī)會在哪里，投資商期待哪種LED企業(yè)，企業(yè)上市應(yīng)該注意哪些問題，如何看待LED行業(yè)的市場前景，在2009年12月18-19日隆重召開的第四屆LED產(chǎn)業(yè)主題高峰論壇(2009LED產(chǎn)業(yè)投資與市場戰(zhàn)略論壇)上都能找到這些問題的答案。論壇對當(dāng)前國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)的投資和市場機(jī)會做了深入的討論。 　　論壇現(xiàn)場 　　論壇由國內(nèi)知名的產(chǎn)業(yè)研究與傳媒機(jī)構(gòu)高工LED和全國高科技企業(yè)發(fā)展LED專業(yè)委員會共同主辦。深圳市副市長陳應(yīng)春、深圳市科工貿(mào)信委副主任高林以及眾多的投資商、LED企業(yè)家參加了本次會
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中國集成電路業(yè)：發(fā)展模式轉(zhuǎn)型 內(nèi)需拉動回升

  • 　　2009 年，在整體大環(huán)境不利的情況下，中國集成電路業(yè)不可避免地出現(xiàn)了一定幅度的下滑。但隨著國家各項激勵政策的出臺，中國集成電路業(yè)正在企穩(wěn)回升。由于加大了研發(fā)的投入，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)在核心技術(shù)上都取得了突破，企業(yè)核心競爭力提升。與此同時，產(chǎn)業(yè)重組整合出現(xiàn)各種新形式。目前，中國集成電路業(yè)正亟待國家出臺新扶持政策，以獲得更好的發(fā)展環(huán)境，抓住未來發(fā)展的新契機(jī)。 　　擴(kuò)內(nèi)需使行業(yè)企穩(wěn)回升 　　受國際金融危機(jī)的沖擊，全球集成電路行業(yè)在2009年出現(xiàn)了較大幅度下滑。中國集成電路產(chǎn)業(yè)也不可避免地出現(xiàn)了下滑。但在中國
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基于C8051F3xx的全數(shù)字PFC可控硅調(diào)光驅(qū)動高亮LED解決方案

  • 1、 引言
    　　歐盟、美國、加拿大及我國臺灣地區(qū)等多個國家和地區(qū)己經(jīng)發(fā)布了禁用白熾燈的政策和明間表，到2012年幾乎所有發(fā)達(dá)國家都將禁售白熾燈。 高亮LED作為新型高效固體光源，具有壽命長、能效高、可靠性高、色
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獲選時代雜志最佳發(fā)明的飛利浦LED燈泡

  • 　　時值哥本哈根全球氣候大會，全球氣候變化和飆升的能源消耗成為人們?nèi)找骊P(guān)注的問題。照明用電占全球總用電量的19%，全球的照明廠商都在努力，LED燈光之家曾介紹了六大國際品牌LED燈泡，通過這點(diǎn)就能發(fā)揮舉足輕重的作用。不久前，飛利浦照明研發(fā)了一款取代傳統(tǒng)家用燈泡的LED燈泡，被《時代》雜志評為”2009年度最佳發(fā)明”之一，此項發(fā)明在技術(shù)上進(jìn)行了大幅改進(jìn)，提供了LED照明燈泡此前所不具備的產(chǎn)品功能。   　　從外觀看出這款LED燈泡已經(jīng)擺脫了傳統(tǒng)燈泡外型，采用比較獨(dú)特
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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

  • 0 引 言
    隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加，超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高，溫度保護(hù)電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
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用于MR16 LED的1W至5W LED驅(qū)動器參考設(shè)計

  • 近年來，高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)市場快速發(fā)展，LED效能(efficacy，單位為流明/瓦或lm/W)增加了一倍以上，使用更加...
  • 關(guān)鍵字： MR16  LED  LED驅(qū)動器  安森美  

替代MR16 應(yīng)用的1~5 W LED驅(qū)動器GreenPoint參考設(shè)計

  • 近年來，高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)市場快速發(fā)展，LED效能(efficacy，單位為流明/瓦或lm/W)增加了一倍以上，使用更加適用于眾多新應(yīng)用，如我們在手持電筒、建筑照明及街道照明等應(yīng)用中可以發(fā)現(xiàn)諸多革命性的新產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： LED  GreenPoint  參考  驅(qū)動器  設(shè)計  應(yīng)用  MR16  替代  用于  

一種LED太陽能路燈系統(tǒng)匹配設(shè)計的方法

  • 0 引言
    LED發(fā)光原理為固體發(fā)光，按固體發(fā)光物理學(xué)原理，LED的光譜幾乎全部集中于可見光頻段，所以發(fā)光效率高達(dá)90％以上，因此，LED被譽(yù)為21世紀(jì)新光源，即將成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四
  • 關(guān)鍵字： 匹配  設(shè)計  方法  系統(tǒng)  路燈  LED  太陽能  一種  

陰謀論：跨國巨頭設(shè)置天大陷阱，中國已成LED照明試驗田？

  • 　　一說到LED，我們能想象到的就是因為其能夠為當(dāng)今社會節(jié)能事業(yè)做出突出貢獻(xiàn)而帶來的輝煌前景。是的從理論上來看LED以其壽命長低壓直流供電，節(jié)能環(huán)保，無頻閃等天生麗質(zhì)的優(yōu)勢讓其集社會的萬千寵愛于一身。以至于個人，企業(yè)，政府，社會均為LED而狂。似乎光源只要一沾LED就光芒四射，前程無限，LED的作用被社會上的各種論炒得神乎其神，似乎只有LED才是節(jié)能救世主。 ? 　　LED可能不是大救星 　　LED真的是人類社會解決當(dāng)前電能奇缺現(xiàn)狀的大救星嗎?恐怕不是，致少在當(dāng)前LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術(shù)現(xiàn)狀和市
  • 關(guān)鍵字： 歐司朗  LED  半導(dǎo)體照明  

提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)

  • 超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場領(lǐng)域，并向普通照明市場邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封
  • 關(guān)鍵字： 封裝  技術(shù)  LED  功率  效率  提高  

LED板塊迎來光明：應(yīng)用商機(jī)無限大勢所趨

  • 　　12月15日晚8時，成都高新西區(qū)，1000盞LED高效節(jié)能路燈在13條街道上首次亮燈。這是國家2008年底發(fā)布“十城萬盞”計劃后，成都市正式實施的第一個LED照明路燈項目。 　　半導(dǎo)體發(fā)光二極管——LED作為一種新型固態(tài)冷光源，能耗低，壽命長，綠色環(huán)保。比傳統(tǒng)的高壓納燈節(jié)電55%以上，每盞燈的壽命高達(dá)5萬小時，如果一年不熄燈，相當(dāng)于持續(xù)照明近6年時間。 　　但代價同樣昂貴，此次成都使用的LED節(jié)能燈每盞6000元。據(jù)悉，2011年底前，成都計劃安裝L
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  • 　　IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。 　　在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 　　該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 　　該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
  • 關(guān)鍵字： IBM  CMOS  22nm  SOC  
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