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CMOS數(shù)字隔離器為智能電表提供數(shù)據(jù)保護

  • 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機電式電表復(fù)雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
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CMOS 圖像傳感器主導(dǎo)多種應(yīng)用，提供巨大市場機遇

  • 在過去十年里，CMOS圖像傳感器技術(shù)經(jīng)過連續(xù)改進和不斷提高，已經(jīng)使其從主要服務(wù)于低端市場轉(zhuǎn)移到一些要求最苛刻的高性能應(yīng)用。伴隨著這種趨勢，CMOS圖像傳感器已經(jīng)開始主導(dǎo)圖像傳感器市場，并為原始設(shè)備制造商（OEM）
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針對工業(yè)及醫(yī)療等應(yīng)用的安森美半導(dǎo)體CMOS圖像傳感器方案

  • 近年來，隨著CMOS工藝技術(shù)的不斷改進，CMOS傳感器的應(yīng)用范圍也越來越廣泛，包括數(shù)碼相機、電腦攝像頭、視頻電話、手機、視頻會議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達、玩具，以及工業(yè)、醫(yī)療等應(yīng)有盡有。實際上，CMOS
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東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新戰(zhàn)略 致力BSI型CMOS傳感器

  • 　　東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計劃將把瞄準全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實力，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進行了整合的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中，應(yīng)用在存儲器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù)。東芝執(zhí)行董事高級常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。 　　
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采用ADS的CMOS雙平衡混頻器設(shè)計

  • 摘要：分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機理，以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系，并據(jù)此使用ADS軟件進行設(shè)計及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25mu;m CMOS工藝，射頻信號為2．
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基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護電路設(shè)計

  • 1　引言　　鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場很大份額。然而，鋰電池產(chǎn)品在充放電過程中的過充電、過放電、放電過電流及其它異常狀態(tài)(例如
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卓然發(fā)布單晶片COACH 14數(shù)碼相機處理器

  • 為數(shù)億部數(shù)碼相機提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商卓然公司﹝納斯達克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機處理器平臺可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機。
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Amalfi推出第二代CMOS功率放大器體系A(chǔ)daptiveRF

  • 　　手機高級功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經(jīng)濟的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴展性，AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能，包括交換機和復(fù)合濾波器，可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。 　
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CCD和CMOS主要技術(shù)分析

  • CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
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提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

  • 摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計方案，使用CMOS工藝設(shè)計了兩級全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準

  • 摘要：傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案，利用二級管PN結(jié)具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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全CMOS基準電壓源的分析與仿真

  • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
    關(guān)鍵詞：基準電壓；CMOS集成電路；Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
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艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

  • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
  • 關(guān)鍵字： 艾克賽利  CMOS  

2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計

  • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級放大
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鎖存繼電器的CMOS電路研究

  • 圖1中電路會根據(jù)一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關(guān)至步進電壓信號發(fā)生器，一個差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個繼電器驅(qū)動器，以及一個繼電器線圈?！　∷矂娱_關(guān)提供驅(qū)動電路的步進電壓信
  • 關(guān)鍵字： 研究  電路  CMOS  繼電器  
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