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arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 進入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術社區(qū)

TMS320VC5410的BOOT設計與實現?

  • TMS320VC5410的BOOT設計與實現?,【摘　要】　闡述了TMS320VC5410芯片的2K程序空間的并行I／O串口的BOOT引導方法。
    關鍵詞：TMS320VC5410，BOOT，數字信號處理
    　　
    　　TMS320VC54X系列DSP芯片一般都在片內設置有BOOT程序。BOOT程序的主要作
  • 關鍵字： 實現  設計  BOOT  TMS320VC5410  

NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  • 　　全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現砍單情況，記憶體零售和系統端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準之上。
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術，它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
    關鍵詞：DDR NAN
  • 關鍵字： 嵌入式  接口  設計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  

基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統設計

  • 摘要：為了解決目前記錄系統容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術和流水線技術實現了多片低速FLASH時高速數據的存儲，提高了整
  • 關鍵字： FLASH  NAND  大容量  存儲    

存儲器思謀發(fā)展

  • 　　存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數據和程序，傳統上計算機的主存儲器稱Memory，外部設備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進，存儲器獲得了長足的發(fā)展。 　　
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  201105  

Gartner認為SSD將在明年成為市場主流

  • 　　數年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數據硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
  • 關鍵字： NAND  SSD  

NAND FLASH在儲存測試系統中的應用

  • 0 引言　　計算機技術的高速發(fā)展，存儲系統容量從過去的幾KB存儲空間，到現在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數據存取的能力在飛速擴展。隨之而來產生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數據生命周期管
  • 關鍵字： FLASH  NAND  儲存  測試系統    

三星量產新型NAND閃存芯片

  • 　　5月13日消息，據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱，它已經開始大批量生產新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。 　　
  • 關鍵字： 三星  NAND  

NAND Flash大廠積極制程轉換

  • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據市調機構TrendForce最新統計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  

三星與海力士提升NAND Flash芯片產量

  • 　　據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。 　　
  • 關鍵字： 三星  NAND Flash  

三星、海力士擴大NAND Flash投資

  • 　　由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。 　　
  • 關鍵字： 三星  NAND  移動設備  

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

  • 　　由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業(yè)將持續(xù)供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。 　　
  • 關鍵字： 美光  NAND  

4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

  • 　　據韓國媒體報道，內存調研公司集邦科技發(fā)布最新研究數據，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關供應鏈后芯片價格的總體情況。 　
  • 關鍵字： 閃存  NAND  

東芝將量產19nm工藝64Gbit NAND

  • 　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產品，還計劃推出3bit/單元產品和1bit/單元產品。不過，這些產品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。 　
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析

  • NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實現壞塊管理并且實現連續(xù)數據讀取的方法。
  • 關鍵字： 結構  分析  系統  存儲  Flash  嵌入式  NAND  
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