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先前，因為受到連續(xù)7年作假帳風波，因而導致公司商譽嚴重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測，預估將上調至850億日元的水準，較原本預估的700億日元調高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。
東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品，導致相關價格的不斷上揚，如此以進一
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東芝 NAND
日媒稱，日本半導體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導體制造設備的訂貨金額(3個月移動平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導體制造商興起、半導體的微細化、立體化這三大變化為整個產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面，半導體設備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。
據(jù)外媒報道，“采購設備的時間提前了”，東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導體制造商們強烈設備投資欲的驚訝。
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半導體 NAND
據(jù)韓聯(lián)社9月19日報道，韓國市場調研機構IHS和半導體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個百分點。
今年第二季度三星電子銷售額達94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導體銷售額達122.72億美元，市場份額為14.7%。
三星與英特爾的市場份額差距在2012年達5.3個百分點，2013年為4.2個百分點，2014年3.4個百分點，2015年為3.2個百分點。雖然，今年第一季度差距拉大到4個百分點以上，但
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半導體 NAND
第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%，結束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。
受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價跌幅開始收斂，通路端wafer價格更從四月起逐月走揚，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。
DRAM
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NAND 三星
美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。
Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的
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美光 3D NAND
受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示，第二季eMMC、消費級固態(tài)硬盤與企業(yè)級固態(tài)硬盤的合約價跌幅開始收斂，渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第三季
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美光 NAND
武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目可行性專家評審會，業(yè)內專家對
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3D NAND
南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運，事業(yè)群自行加強競爭力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調機構IHS iSuppli最
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三星 東芝 NAND Flash
根據(jù)研調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價較7月重跌11~18%
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存儲器 NAND Flash芯片
準備工作在定義CONFIG_MP的情況下，u-boot會依次調用init_sequence_r里定義的初始化函數(shù)執(zhí)行路徑為：board_init_r() -> cpu_init_r() -> setup_mp()setup_mp()做以下操
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u-boot VxWorks
韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包
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3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤
三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤
現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存儲技術
隨著DRAM和NAND技術持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路，IC Insights密切觀察有關DRAM和NAND供應商的最新動態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
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NAND DRAM
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