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集成電路Cu互連線的XRD研究

  • 對(duì)硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對(duì)比了直流電鍍和脈沖電鍍?cè)谟刑砑觿┖蜔o添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，對(duì)于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。
  • 關(guān)鍵字： XRD  集成電路  互連線    

WO3摻雜NiO的氣敏性能研究

  • 　　0 引 言 　　NiO作為一種P型半導(dǎo)體材料，因其具有穩(wěn)定而較寬的帶隙在電池材料、催化劑、氣敏材料等方面有著廣泛的應(yīng)用。以NiO為基體材料制作的氣敏元件雖然具有響應(yīng)一恢復(fù)快，穩(wěn)定性比較好等優(yōu)點(diǎn)，但與N型半導(dǎo)體SnO，ZnO等氣敏材料相比，NiO的氣體靈敏度較低，這主要是因?yàn)镹iO為空穴導(dǎo)電，吸附可燃?xì)怏w后空穴減少，電阻增大，而NiO材料本身的電阻又比較高。因此，不斷改善提高NiO的氣敏性能使其具有實(shí)用性是當(dāng)前研究的重點(diǎn)所在。本文利用水熱法制備NiO對(duì)其進(jìn)行不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的WO3摻雜，研究了摻雜后NiO
  • 關(guān)鍵字： NiO  氣敏  WO3  半導(dǎo)體  材料  XRD  
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