首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> tlp

【測試解讀】ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP，怎么測？

  • 隨著電子器件在汽車和其他產品上的應用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進行
  • 關鍵字： ESD  TLP  

如何測試ESD保護設計中的傳輸線脈沖TLP

  • 隨著電子器件在汽車和其他產品上的應用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發(fā)生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進行
  • 關鍵字： ESD  保護設計  傳輸線脈沖  TLP  

帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對維持電壓的影響*

  • 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實現了一種陽極和陰極兩側均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護（ESD）。利用二維器件仿真平臺和傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（TLP），預測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結果表明，在不增加器件面積的情況下，通過增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統(tǒng)SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
  • 關鍵字： 可控硅（SCR）  硅化物阻擋層（SAB）  仿真  傳輸線脈沖測試系統(tǒng)（TLP）  維持電壓（Vh）  202109  

利用TLP進行ESD保護元件的大電流性能鑒定

  • Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護元件應該保持在不動作狀態(tài)，同時不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數據傳輸速率下維持數據完整性的低電容值來達成。而在ESD 應力沖擊或
  • 關鍵字： TLP  ESD  保護  元件    

利用屏幕截圖和TLP進行ESD保護元件的大電流性能鑒

  • Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護元件應該保持在不動作狀態(tài)，同時不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數據傳輸速率下維持數據完整性的低電容值來達成。而在ESD 應力沖擊或
  • 關鍵字： TLP  ESD  屏幕  保護    
共5條 1/1 1

tlp介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條tlp!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對tlp的理解，并與今后在此搜索tlp的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473