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格芯和Microchip宣布Microchip 28納米SuperFlash嵌入式閃存解決方案投產(chǎn)

  • 格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology? （SST?）近日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術(shù)NVM 解決方案即將投產(chǎn)。在實(shí)施SST廣泛部署的ESF3 SuperFlash技術(shù)方面，格芯確立了新的行業(yè)基準(zhǔn)。該實(shí)施方案具有以下功能和優(yōu)勢(shì)：●? ?成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案，僅增加了
  • 關(guān)鍵字： 格芯  Microchip  SuperFlash  嵌入式閃存  

Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽車級(jí)55nm嵌入式閃存技術(shù)已獲認(rèn)證

  • 　　全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)通過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強(qiáng)化型(LPx)/RF平臺(tái)的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)產(chǎn)品已通過全面認(rèn)證并開始投放市場。GLO
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