首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> pwb

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計(jì)算應(yīng)用的高功耗問題

  •   對于主板設(shè)計(jì)師來說,要設(shè)計(jì)處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計(jì)算機(jī)處理器永無止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級到9.0版本,涵蓋了新的功率要求,以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。   在過去的10年間,VRM電流要求一直在增加,正如英特爾所公布的,IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí),電流切換速率要求也有相當(dāng)大的提高;芯片插座處的dI/dT從45
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  VRM  英特爾  低功耗  芯片  PWB  
共1條 1/1 1
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473