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西部數(shù)據(jù)將拆分NANDFlash部門與鎧俠合并

  • 根據(jù)彭博社報(bào)導(dǎo)，在經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的談判后，西部數(shù)據(jù)（Western Digital）和鎧俠（Kioxia）即將達(dá)成協(xié)議。該協(xié)議的內(nèi)容主要是分拆西部數(shù)據(jù)的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器部門，然后進(jìn)一步與鎧俠合并。之后，西部數(shù)據(jù)的股東將控制合并后新公司約略超過(guò)一半的股權(quán)。不過(guò)，當(dāng)前相關(guān)訊息仍在保密中。報(bào)導(dǎo)指出，兩家公司在談判時(shí)，有建議是將由鎧俠的團(tuán)隊(duì)來(lái)主導(dǎo)合并后新公司的經(jīng)營(yíng)，不過(guò)西部數(shù)據(jù)高管也將發(fā)揮相對(duì)的重要輔助作用。而就目前情況來(lái)看，盡管雙方談判進(jìn)展順利，但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時(shí)間。而且，期間
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國(guó)管制與韓國(guó)壟斷

  • 　　根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國(guó)一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國(guó)對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成?！　?bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國(guó)NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國(guó)的存儲(chǔ)器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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淺析Nandflash燒錄技巧與方法

  • 　　Nandflash芯片以其高性價(jià)比，大存儲(chǔ)容量在電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。但是，在此量大質(zhì)優(yōu)的應(yīng)用領(lǐng)域，很多客戶卻痛苦于批量質(zhì)量問(wèn)題：專用工具無(wú)法滿足量產(chǎn)，量產(chǎn)工具卻可能出現(xiàn)極大的不良品率，那么究竟要如何解決呢?　　其實(shí)根本原因在于目前大部分用戶并不是很了解Nandflash燒錄的復(fù)雜性，他們常采用很直接的方法，即使用一顆能正常運(yùn)行的NandFlash芯片作為母片，在連接編程器之后，點(diǎn)擊燒錄軟件上的“讀取”按鈕，把數(shù)據(jù)從芯片里面完整讀取出來(lái)，然后再找?guī)最w空芯片，把數(shù)據(jù)重復(fù)寫進(jìn)去。本以為可達(dá)到量產(chǎn)的目的，但實(shí)
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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性，復(fù)雜性對(duì)構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求，需要閃存設(shè)備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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淺析Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)

  • Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)
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TrendForce：2018年NAND Flash價(jià)格有望縮減10%-20%

  • 　　TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價(jià)格有機(jī)會(huì)走跌，下半年需求回升，可能再次供不應(yīng)求，預(yù)估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價(jià))將較2017年縮減10%-20%。 　　相對(duì)而言，TrendForce預(yù)計(jì)，2018年DRAM產(chǎn)能擴(kuò)增效益有限，價(jià)格趨勢(shì)與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。 　　TrendForce表示，就移動(dòng)存儲(chǔ)來(lái)看，智能手機(jī)應(yīng)用的存儲(chǔ)零組件價(jià)格從2016年第三季開(kāi)始不斷攀升，以主流規(guī)格而言，到今年第四季價(jià)格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機(jī)的
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東芝產(chǎn)能出現(xiàn)大幅損失純屬謠言，對(duì)第四季供貨影響有限

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，針對(duì)近期市場(chǎng)傳出東芝產(chǎn)能出現(xiàn)問(wèn)題，并致使產(chǎn)出晶圓損失高達(dá)10萬(wàn)片一事，經(jīng)調(diào)查與確認(rèn)后，東芝產(chǎn)線確實(shí)遭遇到一些問(wèn)題，并致使整體產(chǎn)出量較原先預(yù)期少，但影響程度絕對(duì)遠(yuǎn)低于外界所謠傳接近10萬(wàn)片的規(guī)模，且工廠產(chǎn)線亦未出現(xiàn)停擺。對(duì)于東芝客戶而言，在第四季議價(jià)時(shí)所承諾的交貨數(shù)量也沒(méi)有受到直接沖擊。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此一事件后，不論對(duì)于第四季或是明年第一季的供需市況皆不會(huì)產(chǎn)生任何劇烈影響。對(duì)于現(xiàn)貨市場(chǎng)而言，在此消息傳出后并
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2017年上半年全球半導(dǎo)體銷售金額同比增長(zhǎng)20.8%

  • 　　近期以來(lái)，或許大家經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到的就是因?yàn)榘雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨入一個(gè)成長(zhǎng)的波段，導(dǎo)致所有產(chǎn)品的價(jià)格上揚(yáng)，使得諸如臺(tái)積電、韓國(guó)三星的全球性的大型半導(dǎo)體公司獲利豐碩，營(yíng)收屢創(chuàng)新高。至于，所謂的半導(dǎo)體當(dāng)前熱潮，有哪些基本的數(shù)據(jù)可以來(lái)代表，下面這些數(shù)據(jù)或許可以來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明。 　　在當(dāng)前半導(dǎo)體的熱季中，大家感受最強(qiáng)烈的莫過(guò)于存儲(chǔ)器的價(jià)格。也由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的供不應(yīng)求，使得價(jià)格節(jié)節(jié)攀高，也讓韓國(guó)三星、SK海力士，日本東芝等國(guó)際大廠獲利滿滿。有市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，在快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)的價(jià)格部分，自2016年下半年起
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基于ARM9的USB設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • USB(Universal Serial Bus)是通用串行總線的縮寫，因其具有方便易用，動(dòng)態(tài)分配帶寬，容錯(cuò)性優(yōu)越和高性價(jià)比等特點(diǎn)，現(xiàn)已成為計(jì)算機(jī)的主流接口。
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基于FPGA的水聲信號(hào)高速采集存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 介紹了一種基于FPGA的水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，給出了系統(tǒng)的總體方案，并對(duì)各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心，以存儲(chǔ)容量達(dá)2GB的大容量NAND型Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和RS～232串行通信模塊組成，具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
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用IO模擬方式讀寫三星系列的NAND FLASH

  • 三星系列的NAND FLASH芯片容量從8MB到256MB（最近聽(tīng)說(shuō)有1G容量的了），對(duì)于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式系統(tǒng)是一個(gè)很好的選擇，尤其是其接近1MB/元的高性價(jià)比，更是普通nor flash無(wú)法比擬的。本文以K9F2808U0C為例，采用AVR芯片連接，進(jìn)行了初步的讀寫試驗(yàn)，完成了芯片的ID讀出功能。
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基于NAND Flash的轉(zhuǎn)譯層的設(shè)計(jì)

  • 基于NAND Flash的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)以其輕巧便攜、讀寫速度快等特點(diǎn)成為當(dāng)前嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流配置。但由于固有壞塊以及在擦、寫過(guò)程中隨機(jī)產(chǎn)生的壞塊影響了NAND Flash的實(shí)際應(yīng)用，所設(shè)計(jì)的NAND Flash的驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)譯層具有壞塊管理機(jī)制并實(shí)現(xiàn)上層文件系統(tǒng)的連續(xù)讀寫功能。
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2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(zhǎng)2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營(yíng)收則成長(zhǎng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長(zhǎng)幅度超過(guò)30%;車用半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模也比2015年成長(zhǎng)9.7%。 　　IHS預(yù)期，由于市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場(chǎng)的營(yíng)收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模則有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)。
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ARM開(kāi)發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍

  • 　　實(shí)驗(yàn)?zāi)康模和黄?KB的Steppingstone存儲(chǔ)空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實(shí)現(xiàn)“點(diǎn)燈大法”，借此掌握NandFlash的操作?！　?shí)驗(yàn)環(huán)境及說(shuō)明：恒頤S3C2410開(kāi)發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB?！　?shí)驗(yàn)思路：開(kāi)發(fā)板上電啟動(dòng)后，自動(dòng)將NandFlash開(kāi)始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到0地址開(kāi)始執(zhí)行。然后初始化存儲(chǔ)控制器SDRAM，調(diào)用NandFlash讀函數(shù)操作
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高速信號(hào)采集記錄儀設(shè)計(jì)

  • 摘要：針對(duì)高速信號(hào)實(shí)時(shí)采集存儲(chǔ)的需求，設(shè)計(jì)了一種高速信號(hào)采集記錄儀。記錄儀通過(guò)高速A/D轉(zhuǎn)換器對(duì)信號(hào)進(jìn)行采樣，并實(shí)時(shí)存入NAND FLASH存儲(chǔ)陣列中。為提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速率，綜合采用并行總線、交錯(cuò)雙平面頁(yè)編程、多級(jí)
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nandflash介紹

NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在： 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁(yè)，頁(yè) [ 查看詳細(xì) ]

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