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大容量NANDFlash在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

  • 1 引言

    隨著手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的日趨激烈，多媒體手機(jī)逐漸成為市場(chǎng)的寵兒。因?yàn)橛写罅康亩嗝襟w數(shù)據(jù)，因此大容量存儲(chǔ)是多媒體手機(jī)所要解決的首要問(wèn)題。

    NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NOR的特點(diǎn)是
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NANDFlash買(mǎi)賣(mài)雙方協(xié)商 閃存芯片合約價(jià)下跌達(dá)30%

  • 　　歷經(jīng)過(guò)去2個(gè)月的不斷地交涉協(xié)商后，7月底時(shí)多數(shù)的NANDFlash買(mǎi)賣(mài)雙方業(yè)者，終于就多數(shù)的NANDFlash芯片合約價(jià)格大致達(dá)成了共識(shí)。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場(chǎng)及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶(hù)的傳統(tǒng)淡季，再加上2Q季底效應(yīng)的影響，下游客戶(hù)多優(yōu)先忙于去化手頭的過(guò)剩庫(kù)存，故他們?cè)诖似陂g回補(bǔ)庫(kù)存的意愿也都不太高。
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基于PNX1501的NandFlash在線(xiàn)燒錄系統(tǒng)

  • 　　隨著電子產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，閃存器無(wú)疑將獲得極大的增長(zhǎng)。這種增長(zhǎng)在很大程度上取決于存儲(chǔ)器的非易失性 ...
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基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

  • 基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),摘要：本文首先給出了NandFlash的硬件特點(diǎn)，分析了Linux MTD層(Memow Technology Device)的特性，基于東南大學(xué)國(guó)家ASIC中心自主設(shè)計(jì)的嵌入式微處理器芯片SEP4020，給出了Linux下NandFlash驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)
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NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應(yīng)用環(huán)境的廣泛性，復(fù)雜性對(duì)構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設(shè)備提出更高要求，需要閃存設(shè)備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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SSD有望成為新半導(dǎo)體需求市場(chǎng)

  • 　　隨著NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價(jià)格的持續(xù)下滑，作為下一代存儲(chǔ)設(shè)備的SSD(SolidStateDrive，固態(tài)硬盤(pán))有望成為新的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。在2010年以后，SSD將會(huì)成為世界NANDFlash存儲(chǔ)市場(chǎng)中的主要品種，而各大存儲(chǔ)技術(shù)相關(guān)企業(yè)也將從今年開(kāi)始正式展開(kāi)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。 　　市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)100億美元 　　SSD是利用現(xiàn)有的DRAM和NANDFlash等存儲(chǔ)技術(shù)和控制器來(lái)制作的下一代存儲(chǔ)設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品HDD(硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)相比，SSD具有安全性高、功耗低、數(shù)據(jù)傳送速度快、無(wú)機(jī)械噪
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SSD將成為新的半導(dǎo)體需求市場(chǎng)

  • 　　為跟上技術(shù)進(jìn)步的發(fā)展步伐，2008年半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、材料、零部件行業(yè)將出現(xiàn)新一輪產(chǎn)品研發(fā)熱。該行業(yè)大舉引進(jìn)最新的高效率生產(chǎn)技術(shù)，挑起了夯實(shí)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的重任。 　　挑戰(zhàn)微細(xì)化納米技術(shù) 　　最近發(fā)表的ITRS(國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖)深入分析了今后15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向。 　　回顧該行業(yè)技術(shù)發(fā)展的軌跡，我們發(fā)現(xiàn)，人們除了把目光聚集到High-k門(mén)極電介質(zhì)的前瞻性引入、超越摩爾定律(后摩爾定律技術(shù))上之外，還格外關(guān)注存儲(chǔ)器與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)間的對(duì)話(huà)。2007年11月在夏威夷召開(kāi)的ITPC(半
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基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 文章詳細(xì)說(shuō)明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實(shí)現(xiàn)方法，并給出了在S3C2410上實(shí)現(xiàn)Nandflash啟動(dòng)的試驗(yàn)結(jié)果。
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基于DSP芯片PNX1501的NandFlash在線(xiàn)燒錄系統(tǒng)

  • 隨著電子產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，閃存器無(wú)疑將獲得極大的增長(zhǎng)。這種增長(zhǎng)在很大程度上取決于存儲(chǔ)器的非易失性、低功耗、高密度和重量輕等特點(diǎn)。
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nandflash介紹

NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在： 1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同 應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫(xiě)時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁(yè)，頁(yè) [ 查看詳細(xì) ]

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