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基于Atlas的MFIS結(jié)構(gòu)器件電學(xué)性能模擬

  • 摘要 利用Atlas器件模擬軟件，對(duì)MFIS結(jié)構(gòu)器件的C—V特性及記憶窗口進(jìn)行模擬。討論了應(yīng)用電壓、絕緣層厚度及絕緣層材料等因素，對(duì)MFIS結(jié)構(gòu)器件記憶能力及穩(wěn)定性的影響，為MFIS結(jié)構(gòu)器件的設(shè)計(jì)和性能提高提供了參考
  • 關(guān)鍵字： 電學(xué)  性能  模擬  器件  結(jié)構(gòu)  Atlas  MFIS  基于  
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