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M31 沖刺2納米IP開(kāi)發(fā)

M31總經(jīng)理張?jiān)硎荆蚪?jīng)濟(jì)不確定性因素仍多，短期營(yíng)運(yùn)承壓，不過(guò)仍保持正向樂(lè)觀態(tài)度，力拚達(dá)成今年目標(biāo)?！∷嘎叮?月開(kāi)始2納米IP開(kāi)發(fā)，凸顯開(kāi)發(fā)能力、技術(shù)掌握得到客戶認(rèn)同，為下半年授權(quán)金注入一劑強(qiáng)心針；研發(fā)動(dòng)能到位，基礎(chǔ)（Foundation）IP更廣泛地與晶圓廠合作，開(kāi)發(fā)特殊制程，并進(jìn)一步掌握客制化需求、界面（Interface）IP則打入先進(jìn)制程，滿足更多不同產(chǎn)業(yè)需要。 M31第二季合并營(yíng)收達(dá)4.29億元，季增25.5％、年曾23.5％，營(yíng)益率24.9％，每股稅后純益（EPS）2.44元，較上季倍
關(guān)鍵字： M31 2納米 IP開(kāi)發(fā)

全球領(lǐng)先的硅智財(cái)供貨商M31宣布與高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）達(dá)成重要合作里程碑。雙方連手成功開(kāi)發(fā)出65納米制程的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）IP產(chǎn)品，并已將設(shè)計(jì)模塊交付客戶端完成驗(yàn)證，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)全新的先進(jìn)內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導(dǎo)體共同優(yōu)化的設(shè)計(jì)架構(gòu)，巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET（模擬場(chǎng)效晶體管），不僅能夠完美滿足當(dāng)前SoC芯片對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求，更為未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、智能型穿戴裝置、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）以及人工智能（AI）等新興應(yīng)用領(lǐng)域
關(guān)鍵字： M31 高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存

半導(dǎo)體IP大廠M31持續(xù)擴(kuò)大基礎(chǔ)IP研發(fā)，完整布局基礎(chǔ)、傳輸接口IP，深受晶圓代工大廠器重，24日攜手英特爾于DAC（國(guó)際電子自動(dòng)化會(huì)議）揭北美市場(chǎng)戰(zhàn)略布局，其中，英特爾IFS（晶圓代工服務(wù)）擴(kuò)大12納米以下先進(jìn)制程規(guī)模加上美系CSP預(yù)計(jì)導(dǎo)入M31先進(jìn)制程之高速傳輸接口IP等，為M31營(yíng)運(yùn)動(dòng)能添柴火。透過(guò)與臺(tái)積電密切配合，M31先進(jìn)制程基礎(chǔ)組件IP產(chǎn)品完整，其中，公司已經(jīng)開(kāi)始布局die-to-die和Chiplet領(lǐng)域，是未來(lái)三年重要的IP藍(lán)圖規(guī)畫；在追求效能與差異化的市場(chǎng)環(huán)境中，M31更提供
關(guān)鍵字：英特爾 M31 先進(jìn)制程IP 客制化

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