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LPCVD TEOS 厚度的機(jī)械應(yīng)力對(duì)閃存循環(huán)性能的影響

• 　　摘要：本文研究了閃存循環(huán)(耐久性)與LPCVD(低壓化學(xué)氣相沉積)制程應(yīng)變的相關(guān)性。所沉積的充當(dāng)S/D植入物犧牲氧化層的12.5nm SCTEOS在后面的工序中會(huì)被去除。然而有趣的是，通過(guò)應(yīng)力記憶技術(shù)(SMT)，我們發(fā)現(xiàn)對(duì)通道產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)影響閃存循環(huán)(耐久性)性能       【關(guān)鍵詞：耐久性/循環(huán)、LPCVD TEOS、應(yīng)力】 　　引言 　　2008年2月，有報(bào)道稱，嵌入式閃存UCP遇到擦除原始比特失敗率(RR)高于CLT(置信度檢測(cè))S5循環(huán)
• 關(guān)鍵字： LPCVD  機(jī)械應(yīng)力