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蘇州納米所在硅襯底InGaN基半導(dǎo)體激光器方面取得重要進展
- 硅是半導(dǎo)體行業(yè)最常見的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應(yīng)用于日常生活的各種設(shè)備中，從智能手機、電腦到汽車、飛機、衛(wèi)星等。隨著技術(shù)的發(fā)展，研究者發(fā)現(xiàn)通過傳統(tǒng)的電氣互聯(lián)來進行芯片與系統(tǒng)之間的通信已經(jīng)難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復(fù)雜系統(tǒng)的要求。為解決這一問題，“光”被認(rèn)為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介，可用于硅基芯片以及系統(tǒng)間的數(shù)據(jù)通信。但是，硅作為間接帶隙材料，發(fā)光效率極低，難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料，生長或者鍵
- 關(guān)鍵字： InGaN 激光器
蘇州納米所在硅襯底InGaN基半導(dǎo)體激光器方面取得重要進展
- 硅是半導(dǎo)體行業(yè)最常見的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應(yīng)用于日常生活的各種設(shè)備中，從智能手機、電腦到汽車、飛機、衛(wèi)星等。隨著技術(shù)的發(fā)展，研究者發(fā)現(xiàn)通過傳統(tǒng)的電氣互聯(lián)來進行芯片與系統(tǒng)之間的通信已經(jīng)難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復(fù)雜系統(tǒng)的要求。為解決這一問題，“光”被認(rèn)為是一種非常有潛力的超高速傳輸媒介，可用于硅基芯片以及系統(tǒng)間的數(shù)據(jù)通信。但是，硅作為間接帶隙材料，發(fā)光效率極低，難以直接作為發(fā)光材料。研究人員提出利用具有高發(fā)光效率的III-V族材料作為發(fā)光材料，生長或者鍵
- 關(guān)鍵字： 激光器 InGaN
納米級InGaN LED實現(xiàn)高效率白光
- LED照明的神圣目標(biāo)就在于以最高能效與最佳成本效益的方式實現(xiàn)白光，而這也一直是制造商和學(xué)術(shù)界之間最熱門的討論話題。 傳統(tǒng)的途徑包括頻率向下反轉(zhuǎn)、結(jié)合高能量的藍(lán)光LED或近紫外線頻段，以及具有不同波長的螢光粉。 相較于原始的發(fā)射器(以螢光粉覆蓋的LED)，這種途徑通常以較低的量子效率模擬不完全的白光光譜。螢光粉的壽命有限也對于白光的整個產(chǎn)品生命周期帶來負(fù)面影響。 其他的解決方案結(jié)合了以不同峰值波長發(fā)射的多個LED芯片，然而，同樣無法為真正白光帶來自然連續(xù)的發(fā)光過程。 香港大學(xué)(U
- 關(guān)鍵字： InGaN LED
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