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超高壓 SiC 與超共源共柵

新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣，從固態(tài)變壓器、中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到智能電網(wǎng)應(yīng)用（FACTS、STATCOM）和高壓直流斷路器均包含在內(nèi)。SiC MOSFET 被認(rèn)為是在不久的將來顛覆這一領(lǐng)域的絕佳選擇，UnitedSiC 提供了獨(dú)特的方法來加速采用基于寬帶隙的高壓開關(guān)。這種方法被稱為超共源共柵 (Supercascode)。我們將這種方法及其已證明的性能與硅技術(shù)和 SiC MOSFET&nbs
關(guān)鍵字：硅 IGCT

IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用對(duì)比

IGBT與集成門極換流晶閘管IGCT對(duì)比受當(dāng)前技術(shù)水平限制，IGBT的工作電流相對(duì)較小，比較常用的中高壓大功率IGBT有...
關(guān)鍵字： IGBT IGCT IEGT

一種用IGCT實(shí)現(xiàn)高壓大功率變頻器的方法

1 引言　　目前，高壓大功率變頻器是一個(gè)十分重要的應(yīng)用領(lǐng)域。而基于igbt的變頻器其功率等級(jí)最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高壓變頻器用igbt就難以實(shí)現(xiàn)。目前，abb等國際大公司均推出了基于igct的三電平
關(guān)鍵字：變頻器方法大功率高壓實(shí)現(xiàn) IGCT

基于IGCT的0.1Hz高壓實(shí)驗(yàn)電源的研究

隨著國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，城市供電中越來越多的運(yùn)用交聯(lián)聚乙烯（XLPE）電纜來代替原有的架空線，以節(jié)省空間并減少電磁噪聲的污染。
關(guān)鍵字：電源研究實(shí)驗(yàn) 高壓 IGCT 0.1Hz 基于

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igct介紹

集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT是一種基于GTO結(jié)構(gòu)、利用集成柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵極硬驅(qū)動(dòng)、采用緩沖層結(jié)構(gòu)及陽極透明發(fā)射極技術(shù)的新型大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關(guān)特性。由于采用了緩沖結(jié)構(gòu)以及淺層發(fā)射極技術(shù)，因而使動(dòng)態(tài)損耗降低了約50 [ 查看詳細(xì) ]