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納微在中國開設GaNFast?研發(fā)中心以支持創(chuàng)新
- 納微(Navitas)今天宣布在杭州開設新的GaNFast研發(fā)中心,以幫助合作伙伴和客戶設計技術領先的電源轉換器;相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案,這些新設計能讓體積縮小50%,重量減輕50%,可為移動應用終端提供快3倍的充電速度。 納微高級應用總監(jiān)兼新研發(fā)中心負責人徐迎春表示:“GaNFast研發(fā)中心擁有產品設計經(jīng)驗豐富的高水平應用工程師團隊,將專注于開發(fā)高頻、高效、高功率密度的電源系統(tǒng),并協(xié)助客戶充分發(fā)揮GaNFast功率IC的關鍵性能和優(yōu)勢。我們擁有開發(fā)新型先進電源架構的工具、技能和資源,同時能夠確保
- 關鍵字: 納微 GaNFast
納微GaNFast解決方案
- 對納微(Navitas)公司和半導體行業(yè)而言,伴隨著寬帶隙技術將取代舊式硅器件,這將是一個動態(tài)變化的時代。平面GaN器件正在取代高達650V和5kW的Si FET器件,而在更高電壓和功率水平應用中,垂直SiC部件取代Si IGBT。納微通過全新的高成本效益GaNFast解決方案,著手解決價值300億美元的Si FET和驅動器市場需求。
- 關鍵字: 納微,GaNFast
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