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條狀過孔成大勢所趨

  • 對于28納米及以下節(jié)點，各種新的設(shè)計要求使工程師不得不調(diào)整傳統(tǒng)的數(shù)字電路板圖設(shè)計和驗證流程。尤其值得一提的是，過孔的使用受到了很大的影響。新的過孔類型已推出，雙重成像（double patterning）、FinFETS 和其它新的設(shè)計技巧的加入不僅使過孔的使用顯著增多
  • 關(guān)鍵字： 條狀過孔  雙重成像  FinFETS  矩形過孔  布局布線  

英特爾的Tri-gate并非一場容易的競爭

  • 專家指出：英特爾公司在把FinFETs元件帶入生產(chǎn)浪潮上可能會有多達五年的領(lǐng)導(dǎo)地位。一個雙外延工藝，并嚴格控制其他步驟，預(yù)示著對其它公司迅速趕超英特爾的領(lǐng)導(dǎo)地位是一個大的挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  晶圓  FinFETs  
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