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CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封裝

  • CoolSiC?肖特基二極管10-80A 2000V G5系列現(xiàn)在也采用TO-247-2封裝。在高達(dá)1500V的高直流母線系統(tǒng)中，該二極管可實(shí)現(xiàn)更高的效率和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化。此外，由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，它們還具有一流的散熱性能。該二極管與配套的CoolSiC? MOSFET 2000V產(chǎn)品完美匹配。產(chǎn)品型號(hào)：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5產(chǎn)品特點(diǎn)■ 無(wú)
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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

  • 目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對(duì)這一市場(chǎng)趨勢(shì)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴(kuò)展到TO-247-2封裝，其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為15
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門(mén)用于中高功率開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）開(kāi)發(fā)，包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工
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第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開(kāi)關(guān)工況和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號(hào)：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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技術(shù)洞察 | 英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?產(chǎn)品，升級(jí)電源和機(jī)架架構(gòu)，滿足AI服務(wù)器的需求

  • 前言人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長(zhǎng)。如圖1所示，英飛凌預(yù)測(cè)單臺(tái)GPU的功耗將呈指數(shù)級(jí)上升，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到約2000W?[1]?，而AI服務(wù)器機(jī)架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢(shì)促使數(shù)據(jù)中心機(jī)架的AC和DC配電系統(tǒng)進(jìn)行架構(gòu)升級(jí)，重在減少?gòu)碾娋W(wǎng)到核心設(shè)備的電力轉(zhuǎn)換和配送過(guò)程中的功率損耗。圖2（右）展示了開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）機(jī)架供電架構(gòu)的示例。每個(gè)電源架由三相輸入供電，可容納多臺(tái)PSU；每臺(tái)PSU由單相輸入供電。機(jī)架將直流電壓（例如，50V）輸
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貿(mào)澤電子開(kāi)售能為電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器提供可擴(kuò)展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開(kāi)售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車(chē)功率模塊，適用于電動(dòng)汽車(chē)?(EV)?以及混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)?(HEV)?的牽引逆變器。英
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實(shí)現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  • 隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革，近幾年全球?qū)矣脙?chǔ)能系統(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長(zhǎng)。2023年，全球家用儲(chǔ)能系統(tǒng)市場(chǎng)銷(xiāo)售額達(dá)到了87.4億美元，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到498.6億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)經(jīng)過(guò)了一輪爆發(fā)式增長(zhǎng)的狂歡后，現(xiàn)在也迎來(lái)了穩(wěn)定增長(zhǎng)期，從未來(lái)看，預(yù)計(jì)在2027年便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)將達(dá)到900億元；AI Server市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，帶來(lái)了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求，現(xiàn)在單機(jī)3KW的Power也成為了標(biāo)配。對(duì)于
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貿(mào)澤開(kāi)售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

  • 隨著人工智能（AI）處理器對(duì)功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品。現(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢(shì)。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  • 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車(chē)功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車(chē)充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車(chē)領(lǐng)域（包括車(chē)載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程
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2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

  • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。產(chǎn)品型號(hào)：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開(kāi)關(guān)損
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英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm?器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H?碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT?模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。增強(qiáng)型
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