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三星宣布3nm芯片成功流片，規(guī)?；慨a時間節(jié)點臨近

  • 　　6月29日消息，據外媒報道，三星宣布，3nm制程技術已經正式流片。據介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構?！　蟮婪Q，三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構的生產流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構，而是采用GAA的結構。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
  • 關鍵字： 芯片  3mm  三星    
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