3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化
- TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列,并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量,與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比,不僅可以縮小基板的尺寸,而且還可以降低安裝成本。因此,
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡,一年后,繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是,在制造業(yè)方面存在一線希望,即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析,在日本發(fā)生災(zāi)害一年后,由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升,NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%,位于距離震中500英里的四日市。在地震之后,這兩家工
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡,一年后,繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是,在制造業(yè)方面存在一線希望,即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析,在日本發(fā)生災(zāi)害一年后,由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升,NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%,位于距離震中500英里的四日市。在地震之后,這兩家工
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2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%
- 據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報(bào)告,由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降,2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。 2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長,從11.6億美元上升到11.7億美元,如圖2所示。 第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因,是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠,造成硬盤短缺,導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括:在全球經(jīng)濟(jì)黯
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蘋果轉(zhuǎn)單海力士 三星NAND營收比重略減
- 市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出,全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響,2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%,DRAM營收則微增,使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營收比重降至38%,佔(zhàn)全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。 反觀海力士,其NANDFlash佔(zhàn)公司營收比重則維持在30%,佔(zhàn)全球NANDFlash營
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固態(tài)硬盤每GB容量價(jià)格將跌破1美元
- 1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會進(jìn)一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì),在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。 隨著Intel Ivy Bridge處
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Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門
- Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門, 此示例展示了一個(gè)立方體的具體實(shí)現(xiàn)過程,與之前的純Opengl es實(shí)現(xiàn)相比,它采用了JPCT-AE來實(shí)現(xiàn),因?yàn)閭€(gè)人認(rèn)為這個(gè)框架很方便,于是從今天開始通過其網(wǎng)站上的Wiki來介紹JPCT-AE的實(shí)現(xiàn)。通過這個(gè)示例能讓你快速了解JP
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全球立體顯示專利技術(shù)競爭機(jī)構(gòu)排名

- 立體顯示技術(shù)(又稱三維顯示技術(shù)或3D顯示技術(shù))是指能夠提供符合立體視覺原理的具有深度信息畫面的媒介技術(shù)。該技術(shù)的出現(xiàn)是視頻顯示技術(shù)從黑白到彩色、從模擬到數(shù)字、從標(biāo)清到高清后的又一次重大變革。本系列文章以立體顯示專利技術(shù)為基礎(chǔ)數(shù)據(jù),調(diào)研了國內(nèi)外在立體顯示方面研發(fā)產(chǎn)出能力最強(qiáng)的機(jī)構(gòu)。 國際專利數(shù)據(jù)的來源選擇了ISI web of knowledge系統(tǒng)的德溫特創(chuàng)新專利索引數(shù)據(jù)庫(DII,Derwent Innovations Index),中國專利的數(shù)據(jù)出自知識產(chǎn)權(quán)出版社的中外專利數(shù)據(jù)庫檢索平臺。
- 關(guān)鍵字: 飛利浦 3D 立體顯示
基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

- 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
- 關(guān)鍵字: 存儲 管理 TMS320F28x 實(shí)現(xiàn) Flash Nand 磨損 均衡 思想
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