南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品,并于去年8月份開始量產這種閃存芯片之后,他們已經于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產品.
按閃存芯片市占率計算,Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位,僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示,三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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Hynix 26nm NAND 閃存芯片
業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜,并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱:”我聽說鎂光有可能會收購 Numonyx公司,這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產品服務的一站式廠商。“
此前鎂光已經與Intel公司合資成立了專門生產NAND閃存的IM Flash公司,而Numonyx公司則原來也是Intel內部負責NOR閃存的部門,不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來,并成立了Numonyx,他們把這家公司的49%
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Numonyx NAND NOR閃存
Yonhap News報導,韓國20家業(yè)者8日宣布成立3D產業(yè)聯(lián)盟,希望進一步推動3D技術與內容的發(fā)展及部署,并計劃同步拓展海內外市場。根據報導,共同成立3D產業(yè)聯(lián)盟的韓國業(yè)者包括Redrover Co.、Pro Optics Co.與Hanjin Information Systems & Telecommunications Co.,預計將尋求更多同業(yè)參與,以增進3D技術并擴增應用范圍。
洛杉磯時報、彭博社引述內部消息人士報導,摩根大通(JPMorgan Chase & Co
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Samsung 3D
在最近舉辦的一次會議上,Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業(yè)務的一個驚人規(guī)劃,他們計劃在閃存技術和SSD產品市場上取得領先地位,但他們并不準備在散片NAND閃存市場 上扮演領軍人的角色??雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L水輪流轉的NAND閃存散片市場和三星,現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下,但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。
Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇,過去他們一旦進入某個市場,那
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Intel NAND 閃存
據報道,韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管,罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。
美國證券交易委員會的報告顯示,Applied已經確認此事,并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應用材料副總裁,另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。
應用材料在一封電子郵件中表示,由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名,他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶,三星的利益顯然受到了傷害
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應用材料 DRAM NAND
32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1),08年出貨量是119億美元,到09年降低到86億美元。從增長曲線看,32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看,在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位,到10月底時,32位總體下降了近23%,而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看,8位的下降是26%,而32位只下降10%,因此從單位數(shù)量來說,32位下降較少,NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭,這
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MCU NAND NOR Android
據日本經濟新聞報導,東芝計劃今年關閉其國內2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。
即將關閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp,位于福岡縣宮若市,該廠生產設備以及約400名員工將被轉移到東芝三重縣四日市的工廠。
為降低生產成本,東芝會將日本本部作為其研發(fā)及測試中心,并加速將量產工作移往海外。
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東芝 NAND
據北京娛樂信報報道,像看《阿凡達》那樣看英超!昨天,曼聯(lián)3比1力克阿森納,為了 更好地為球迷呈現(xiàn)這場焦點戰(zhàn),英國天空體育頻道有史以來首次使用3D技術對這場比賽進行電視直播。而今年南非世界杯也將進行3D轉播,不過由于技術原因, 中國觀眾尚無法享受這一視覺盛宴。
圖為球迷在倫敦的酒吧里享受3D足球直播。(來源:中國新聞網)
阿森納對曼聯(lián)的比賽中,工作人員正在使用3D攝像機拍攝。(來源:中國新聞網)
隨著3D大片《阿凡達》成為史上票房最高的影片之一,全球已掀起一股3D 技術熱潮。3
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顯示 3D
英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產品,以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量,提供更高的成本效益。
NAND閃存可用于存儲消費電子產品中的數(shù)據和其它媒體內容,即使在電源關閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小,推動了該技術持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術,也是全球最精密的半導體技術——這項技術成就將
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英特爾 25納米 NAND
蘋果(Apple)新產品iPad正式亮相,內建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD),可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強心針!根據外資和市調機構估計,2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等,占NAND Flash需求量上看4%,同時也為產業(yè)開創(chuàng)新應用領域。惟近期NAND Flash報價波動相當平靜,并未反映蘋果效應,下游廠指出,大陸在農歷年前又開始嚴查走私,因此當?shù)匦枨箐J減,預計年后才會發(fā)動補貨行情。
蘋果推出的平板計算機(Tablet PC)
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Apple SSD NAND
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片,并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進,每12-15個月便升級一次:成立之初是72nm,2008年是50nm,去年則率先達到了34nm,在業(yè)內領先六個月左右,也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤,美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產的閃存芯片有49%供給In
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Intel NAND 25nm
2010年1月農歷春節(jié)前的補貨行情落空,DRAM價格大跌,所幸NAND Flash價格比預期強勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數(shù)減少影響,而呈現(xiàn)下滑,但整體行情不看淡;模塊廠認為,DDR3目前仍是缺貨,往下修正的幅度有限,一方面DDR3利潤較高,另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來,但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。
存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單,創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本,但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
有人說這是一個極致娛樂的時期,也有人說這是一個感官體驗至上的年代,當《阿凡達》來臨,人們似乎突然感到對淋漓盡致的視聽體驗的饑渴——就要真實,就要震撼,就要驚心動魄,就要酣暢淋漓;也有人說,就要精致視聽,就要杜比。
在博納悠唐國際影城,在1月底的一個北京的晴朗的下午,你可以不理睬空氣中滿溢的爆米花香的誘惑,卻一定抵擋不住兩位納米美男的吸引,你也許會跟著動感短片情不自禁地舞蹈,更會在杜比陳列的尺寸不一的各種數(shù)碼尤物前爭先體驗、流連忘返:一個手機,一部電腦,一臺電視,在你隨意戴
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杜比 3D 數(shù)字影院系統(tǒng)
據國外媒體報道,韓國三星電子今日表示,將開始批量生產3D LED和LCD電視面板。三星電子液晶顯示器(LCD)業(yè)務總裁張元基(Chang Won-kie)稱,近期內3D顯示器成為行業(yè)關注的亮點。
三星電子稱,用于40寸、46寸、55寸3D電視的LED與LCD兼容面板本月已投入量產。該公司曾于本月早些時候表示,計劃在今年銷售總計3500萬臺液晶電視。
同時,三星2010年采用LED背光技術的液晶電視銷售目標為1000萬臺,相當于2009年260萬臺銷量的四倍左右。
報道稱,隨著近期3D
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三星電子 3D LED LCD
韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學說法指出,1組韓國工程師已改良手機用芯片技術,可大幅提升手機性能。
首爾大學表示,該團隊研發(fā)的NOR芯片,可克服過去的諸多缺點。負責人表示,盡管NOR芯片能快速回溯資料,但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被NAND芯片擊敗。相較之下,NAND Flash可儲存32GB的資料,占據更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。
一般的NOR芯片通常并不特別,不過首爾大學工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負責教授表示
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Samsung NAND NOR芯片
3d nand介紹
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