3d 內(nèi)存文章進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會(huì)展中心成功舉行?！　”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行，來(lái)自中國(guó)、歐洲及其他國(guó)家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論劍，給現(xiàn)場(chǎng)觀眾帶來(lái)了一場(chǎng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴。　　立足國(guó)際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)，從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢(shì)、面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來(lái)的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管第三代半導(dǎo)體中歐論壇

美光科技收購(gòu)IM Flash，強(qiáng)化3D XPoint技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　美光科技10月18日宣布，公司計(jì)劃對(duì)英特爾在雙方的合資公司 IM Flash Technologies， LLC (簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)?！　∶拦饪萍伎偛眉媸紫瘓?zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“美光科技對(duì)IM Flash的收購(gòu)表明，我們堅(jiān)信3D XPoint技術(shù)和其他新興存儲(chǔ)技術(shù)將為公司提供獨(dú)一無(wú)二的差異化優(yōu)勢(shì)，并為海量數(shù)據(jù)需求的新型應(yīng)用提供不可或缺的重要解決方案。這項(xiàng)投資能讓美光科技擁有成熟的研發(fā)和制造工廠，擁有在創(chuàng)新和執(zhí)行方面有著卓越紀(jì)錄并高技能型人才隊(duì)伍?！?/li>
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美光科技宣布收購(gòu)其在 IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份的意向

　　美光科技公司今日宣布，公司計(jì)劃對(duì)英特爾在雙方的合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認(rèn)購(gòu)期權(quán)。　　美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光科技對(duì) IM Flash 的收購(gòu)表明，我們堅(jiān)信 3D XPoint 技術(shù)和其他新興存儲(chǔ)技術(shù)將為公司提供獨(dú)一無(wú)二的差異化優(yōu)勢(shì)，并為海量數(shù)據(jù)需求的新型應(yīng)用提供不可或缺的重要解決方案。這項(xiàng)投資能讓美光科技擁有成熟的研發(fā)和制造工廠，擁有在創(chuàng)新和執(zhí)行方面有著卓越紀(jì)錄并高技能型人才
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內(nèi)存/SSD價(jià)格崩盤(pán)？因需求不足存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)持續(xù)下跌

內(nèi)存/SSD的價(jià)格是升是降一直在搖擺不定，這其中一部分原因是受上游存儲(chǔ)顆粒廠商所控制。
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng)，中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額

　　近日國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國(guó)前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國(guó)公司和國(guó)內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國(guó)將在2020年的晶圓廠投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國(guó)成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國(guó)集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長(zhǎng)，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國(guó)家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國(guó)正在進(jìn)行或計(jì)劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，代工廠、DRAM和3D
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中國(guó)產(chǎn)能逐漸開(kāi)出內(nèi)存價(jià)格2019將下滑

　　內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測(cè)內(nèi)存價(jià)格將于開(kāi)始下滑?！　≠Y策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場(chǎng)概況是近5年來(lái)難得的樂(lè)觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長(zhǎng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車(chē)用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)?！　『榇簳熯M(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(zhǎng)25%，產(chǎn)
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STRATASYS推出碳纖維3D打印機(jī)滿足日益激增的碳纖維應(yīng)用需求

隨著各行各業(yè)越來(lái)越多的公司開(kāi)始使用復(fù)合材料，3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者Stratasys（Nasdaq：SSYS）正式發(fā)售價(jià)格實(shí)惠的碳纖維填充尼龍12材料專用增材制造系統(tǒng)。該工業(yè)級(jí)Fortus 380mc碳纖維3D打印機(jī)曾在今年3月首次亮相，目前已經(jīng)面向全球市場(chǎng)正式出貨，國(guó)內(nèi)售價(jià)53萬(wàn)元人民幣（含稅）。
關(guān)鍵字： Stratasys 3D 打印碳纖維填充尼龍

報(bào)告：內(nèi)存芯片需求旺盛三星擴(kuò)大對(duì)英特爾領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

　　北京時(shí)間8月21日晚間消息，調(diào)研公司IC Insights今日發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷(xiāo)售額較英特爾高出22%，而一年前的該比例僅為1%?！　?017年第一季度，英特爾仍是全球最大的半導(dǎo)體供應(yīng)商。事實(shí)上，自1993年以來(lái)，英特爾一直保持著全球最大半導(dǎo)體廠商的頭銜。但從去年第二季度開(kāi)始，以及整個(gè)2017年，英特爾被三星反超?！　C Insights預(yù)計(jì)，今年內(nèi)存類設(shè)備將占到三星整體半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的84%，較2017年的81%高3個(gè)百分點(diǎn)，
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盤(pán)點(diǎn)值得一看的未來(lái)新型電池技術(shù)

顯然，我們不是第一次探討未來(lái)電池技術(shù)。在鋰電池?zé)o法獲得更大突破的情況下，科學(xué)家和技術(shù)人員紛紛著手研發(fā)新的電池技術(shù)，如石墨烯、鈉離子、有機(jī)電池
關(guān)鍵字：新型電池 3D 折疊快速充電

中國(guó)企業(yè)自主研發(fā)的內(nèi)存芯片亮相美國(guó)

　　報(bào)道稱，YMTC此次公開(kāi)的NAND當(dāng)中，32層產(chǎn)品將于下半年進(jìn)入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層、72層產(chǎn)品。半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為，企業(yè)技術(shù)水平上，韓國(guó)比中國(guó)領(lǐng)先3年?！　?bào)道稱，YMTC透露，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構(gòu)創(chuàng)新技術(shù)Xtacking，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度?！　?bào)道稱，YMTC計(jì)劃先在位于武漢的工廠進(jìn)行生產(chǎn)，后將在南京建廠，從明年開(kāi)始提高產(chǎn)量。中國(guó)的NAND進(jìn)入市場(chǎng)已成為不可阻擋的趨勢(shì)，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)認(rèn)為，NAND價(jià)格到明年將持續(xù)下降?！　?bào)道稱，中國(guó)政府為2025年內(nèi)存半導(dǎo)
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3D圖形芯片的算法原理是什么樣的？

一、引言3D芯片的處理對(duì)象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)：首先是直接(盡管繁瑣)，多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
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中國(guó)三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開(kāi)始

外界普遍認(rèn)為，中國(guó)存儲(chǔ)芯片公司逐步擴(kuò)大產(chǎn)能，全球內(nèi)存閃存芯片市場(chǎng)的價(jià)格有望出現(xiàn)下降。
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三星被曝抑制內(nèi)存產(chǎn)能以防內(nèi)存降價(jià)，半導(dǎo)體設(shè)備廠商遭殃

　　DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片去年的產(chǎn)值超過(guò)了1320億美元，占了全球半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)的三分之一，相比2016年的800多億美元暴漲了65%，主要原因就是持續(xù)近兩年的漲價(jià)所致，如今NAND閃存的價(jià)格已經(jīng)由漲轉(zhuǎn)跌，但是DRAM內(nèi)存價(jià)格一直居高不下，這其中不是單純的市場(chǎng)因素，三星作為全球最大的DRAM供應(yīng)商被爆減產(chǎn)以控制內(nèi)存價(jià)格，此舉也導(dǎo)致了半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料、LAM等公司的出貨量短期內(nèi)下降了10-25%?！　?nèi)存及閃存市場(chǎng)都是高度壟斷的，其中內(nèi)存顆粒主要掌握在三星、SK Hynix及美光三家
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3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)?！　』景雽?dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來(lái)感的藍(lán)白為主色調(diào)，獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國(guó)內(nèi)外參展觀眾的眼球。　　全球獨(dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù)　　展會(huì)期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
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紫光對(duì)3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨IC中國(guó)峰會(huì)”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)作了“自主可控的中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND 自主可控 201807