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三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容
- 7 月 17 日消息,韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文,爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注:硅電容(Silicon Capacitor)通常采用 3 層結(jié)構(gòu)(金屬 / 絕緣體 / 金屬,MIM),超薄且性狀靠近半導(dǎo)體,能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點,讓其成為集成電路中常用的元件之一:· 首先,硅電容的制造成本較低,可以通過批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)?!?其次,硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡單,易于加工和集成,硅電容的失效率較低
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三星3nm取得突破性進展!Exynos 2500樣品已達3.20GHz
- 7月14日消息,據(jù)媒體報道,三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實現(xiàn)了3.20GHz的高頻運行,這一頻率不僅超越了此前的預(yù)期,而且比蘋果A15 Bionic更省電,效率表現(xiàn)更為出色。此前,有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過低的擔(dān)憂一度影響了市場對Exynos 2500的信心,特別是在Galaxy S25系列手機的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過三星在月初的聲明中,對外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進行了否認(rèn),強調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定,產(chǎn)
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曝三星3nm良率僅20%!但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息,據(jù)媒體報道,Exynos 2500的良品率目前僅為20%,遠低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),但三星仍在積極尋求解決方案,以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC,該工藝相較于前代4nm FinFET工藝,在能效和密度上預(yù)計有20%至30%的提升。然而,低良品率的問題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺,這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望,該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗,Exynos 2500 芯片被打上問號
- 2 月 2 日消息,根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道,三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題,嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試,導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道,Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu),同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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