2025 vlsi 文章 最新資訊
用于混合信號(hào)VLSI的可擴(kuò)展JTAG控制器IP核設(shè)計(jì)
- 正電子發(fā)射斷層成像系統(tǒng)(PET)前端讀出電路是數(shù)?;旌闲盘?hào)超大規(guī)模集成電路芯片.針對(duì)多通道高性能PET專用集成電路芯片的特點(diǎn),采用JTAG控制器對(duì)該芯片進(jìn)行初始控制和輔助測(cè)試.采用TSMC 0.18μmCMOS工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)可擴(kuò)展的JTAG控制器IP核,支持14組可擴(kuò)展控制信號(hào)和16個(gè)多位寄存器掃描鏈的讀/寫操作,并配備定制的底層驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字: VLSI JTAG PET成像系統(tǒng)
鋰離子電池管理芯片的 研究及其低功耗設(shè)計(jì) — 鋰離子電池管理芯片的電路實(shí)現(xiàn)
- 近年來,鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點(diǎn),獲得了廣泛應(yīng)用,相應(yīng)的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中,為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(zhǎng)電池的使用壽命,電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
- 關(guān)鍵字: 混合信號(hào)電路 VLSI RTL編碼
鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設(shè)計(jì) — 鋰離子電池管理芯片的功能設(shè)計(jì)及功耗優(yōu)化
- 近年來,鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節(jié)電池電壓高等優(yōu)點(diǎn),獲得了廣泛應(yīng)用,相應(yīng)的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中,為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(zhǎng)電池的使用壽命,電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
- 關(guān)鍵字: 鋰離子電池管理芯片 Top-Down低功耗設(shè)計(jì) VLSI
SOC設(shè)計(jì)流程及其集成開發(fā)環(huán)境
- SOC技術(shù)是當(dāng)前大規(guī)模集成電路(VLSI)的發(fā)展趨勢(shì),也是世紀(jì)集成電路技術(shù)的主流,其為集成電路產(chǎn)業(yè)和集成電路應(yīng)用技術(shù)提供了前所未有的廣闊市場(chǎng)和難得的發(fā)展機(jī)遇。SOC為微電子應(yīng)用產(chǎn)品研究、開發(fā)和生產(chǎn)提供了新型的優(yōu)秀的技術(shù)方法和工具,也是解決電子產(chǎn)品開發(fā)中的及時(shí)上市(TTM——Time to Market)的主要技術(shù)與方法。
- 關(guān)鍵字: SoC 集成開發(fā)環(huán)境 VLSI 嵌入式系統(tǒng) 處理器
解析簡(jiǎn)單電路讓數(shù)字電源控制器與模擬控制兼容

- 最近,超大規(guī)模集成(VLSI)技術(shù)的發(fā)展擴(kuò)寬了數(shù)字控制應(yīng)用范圍,尤其是在電源電子元件方面的應(yīng)用。數(shù)字控制IC具有多種優(yōu)勢(shì),比如裸片尺寸更小、無源元件數(shù)量更少、成本更低。 另外,數(shù)字控制可利用電源管理總線(PMBus)來完成系統(tǒng)配置;高級(jí)控制算法能改善性能;可編程性則可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用優(yōu)化?! ‰S著數(shù)字電源管理的進(jìn)一步普及并代替大量模擬控制器,它必須保持現(xiàn)有功能的向后兼容性,從而使數(shù)字電源模塊和模擬電源模塊均可在同一個(gè)系統(tǒng)中工作?! ∧M電源模塊中一般使用輸出電壓調(diào)整,這樣最終用戶可以通過外部電阻更改
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字電源控制器 VLSI
VLSI研討會(huì)開幕 如何超越摩爾定律成焦點(diǎn)
- 在經(jīng)濟(jì)部技術(shù)處支持下,由工研院主辦的半導(dǎo)體界盛會(huì)─國(guó)際超大型積體電路技術(shù)、系統(tǒng)暨應(yīng)用研討會(huì)(VLSI-TSA)及設(shè)計(jì)、自動(dòng)化暨測(cè)試研討會(huì)(VLSI-DAT),4月25日開幕。大會(huì)討論主題聚焦在目前最熱門的物聯(lián)網(wǎng)、5G、超越摩爾定律(More than Moore’s Law)、無人機(jī)等相關(guān)技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況與未來趨勢(shì)。 另外,ERSO Award是國(guó)內(nèi)高科技界的崇高榮譽(yù),今年度由網(wǎng)路家庭董事長(zhǎng)暨創(chuàng)辦人詹宏志、億光電子董事長(zhǎng)葉寅夫、聯(lián)發(fā)科技副董事長(zhǎng)暨總經(jīng)理謝清江及新日光董事長(zhǎng)林坤禧同獲此
- 關(guān)鍵字: 摩爾定律 VLSI
VLSI芯片-數(shù)字信號(hào)測(cè)試
- 數(shù)字信號(hào)測(cè)試作為VLSI芯片測(cè)試的基礎(chǔ),已經(jīng)是一項(xiàng)應(yīng)用十分廣泛的技術(shù)。各個(gè)EDA供應(yīng)商、ATE供應(yīng)商都有著十分成熟的解決方案,包括功能測(cè)試仿真向量的產(chǎn)生,轉(zhuǎn)換和實(shí)際測(cè)試操作,以及芯片的AC/DC參數(shù)測(cè)試。作為高速信號(hào)
- 關(guān)鍵字: VLSI 芯片 數(shù)字信號(hào) 測(cè)試
2011年世界電子行業(yè)發(fā)展漫筆(上)

- 電子消費(fèi)市場(chǎng)適度增長(zhǎng) 當(dāng)前世界電子市場(chǎng)最俏銷的電子產(chǎn)品當(dāng)屬電視、電腦和手機(jī),代表產(chǎn)品就是LCD平板電視、iPad和智能手機(jī)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI最近發(fā)表的報(bào)告,在它們的帶領(lǐng)下,2011年的世界電子市場(chǎng),將在2010年增長(zhǎng)13%的基礎(chǔ)上續(xù)增7.8%,達(dá)1.74萬億美元,且預(yù)期2012年將再增8.2%,達(dá)到1.89萬億美元。相比同期半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈震蕩,更顯穩(wěn)好(表1),前景可待。 記得上世紀(jì)80年代即有一種說法:80年代是電子時(shí)代,90年代是光時(shí)代,21世紀(jì)是生物時(shí)代。實(shí)際預(yù)測(cè)往往過于樂觀
- 關(guān)鍵字: 智能手機(jī) VLSI
VLSI提升IC預(yù)測(cè) 然隱患猶存
- VLSI認(rèn)為由于市場(chǎng)需求上升,而提升今年的IC預(yù)測(cè), 但是公司也表示已經(jīng)看到一些需要重視的問題。 VLSI的總裁Dan Hutcheson說,盡管提升今年IC預(yù)測(cè),但是非常可能市場(chǎng)己經(jīng)出現(xiàn)過熱的跡象。 VLSI認(rèn)為與2009年相比今年全球IC銷售額可達(dá)2315億美元, 增長(zhǎng)21,9%。上個(gè)月公司的預(yù)測(cè)還認(rèn)為與2009年相比增長(zhǎng)17%,而09年下降8,4%。 對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)今年有望達(dá)到332億美元, 比09年增長(zhǎng)42,5%,而09年IC設(shè)備市場(chǎng)下降了43,1%。 按VLSI的
- 關(guān)鍵字: VLSI 半導(dǎo)體設(shè)備
芯片庫存水位依然偏低 價(jià)格高位將得以延續(xù)
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司VLSI Research的分析,盡管有報(bào)道稱部分芯片制造商的庫存正在增加,但目前芯片庫存量依然處于歷史低水位。 據(jù)VLSI Research 9月的分析數(shù)據(jù),目前芯片庫存量?jī)H相當(dāng)于一個(gè)月的出貨量。如此低的庫存出貨比是上世紀(jì)80年代早期之后從未有過的。 “當(dāng)芯片市場(chǎng)進(jìn)入圣誕旺季,庫存增長(zhǎng)就不足為奇。”VLSI Research公司CEO G.Dan Hutcheson說道,“目前市場(chǎng)所報(bào)道的芯片短缺告訴我們第四季度供應(yīng)鏈中的芯片庫存不足。&
- 關(guān)鍵字: VLSI 芯片制造
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