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1β dram
1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
中國(guó)將增加在美半導(dǎo)體采購(gòu)量?韓媒:不太容易
- 據(jù)businesskorea報(bào)道,中國(guó)計(jì)劃在未來(lái)六年內(nèi)將在美國(guó)的半導(dǎo)體采購(gòu)增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元),大約是目前水平的五倍。 然而,許多專家表示,美國(guó)急于遏制中國(guó)的半導(dǎo)體野心,不太可能接受中國(guó)的提議,因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國(guó)的半導(dǎo)體依賴?! №n國(guó)企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度,主要有兩個(gè)原因。 首先,中國(guó)沒(méi)有提及將購(gòu)買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國(guó)半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國(guó)沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片,無(wú)論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下,很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國(guó)企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破,DDR6火速殺到:速度飛天
- 據(jù)外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā),預(yù)期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000?! 〗邮懿稍L時(shí),SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻,DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來(lái)。 Kim Dong-kyun透露,“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型,其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范,另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合。 資料顯示,去年11月,SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
- 關(guān)鍵字: DRAM DDR6
莫大康:影響2019中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的三個(gè)關(guān)鍵因素
- 業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì),用呈”不確定性”,而一言以蔽之。本文擬從以下三個(gè)方面,包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢(shì);中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長(zhǎng)的攻堅(jiān)戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來(lái)初探2019年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器
2019年全球Flash支出達(dá)260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出
- 盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑,但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。
- 關(guān)鍵字: DRAM 晶圓 Flash
非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器的對(duì)比
- 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。 在很多的存儲(chǔ)系統(tǒng)的寫操作程序中,內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁,提供更快速的性能,但是如果發(fā)生突然間斷電的情況,如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失,這是存儲(chǔ)系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲(chǔ)器就是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候,里面的數(shù)據(jù)會(huì)丟失,就像內(nèi)存。非易失性存儲(chǔ)器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,像硬盤等外存。RRAM是一
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅擴(kuò)大至近20%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年12月正值歐美年節(jié)時(shí)期,DRAM成交量清淡,因此不列入合約價(jià)計(jì)算,意味著12月份合約價(jià)與11月份大致持平。主流模組8GB均價(jià)仍在60美元左右,而4GB約在30美元水位,但兩種模組的最低價(jià)分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出,2019年第一季合約價(jià)已于去年12月開始議定,綜合庫(kù)存過(guò)高、需求比原先預(yù)估更為疲弱,以及短中期經(jīng)濟(jì)展望不明朗等因素,買賣雙方已有8GB均價(jià)降至55美
- 關(guān)鍵字: DRAM,價(jià)格
晉華、聯(lián)電被控竊取機(jī)密案開庭 美方多管齊下打擊中國(guó)內(nèi)存自主化進(jìn)程
- 隨著中美談判嘗試結(jié)束貿(mào)易戰(zhàn),對(duì)于兩國(guó)沖突的一個(gè)關(guān)鍵方面——針對(duì)涉嫌盜竊商業(yè)機(jī)密的刑事起訴,美國(guó)謀求新的策略來(lái)打擊中國(guó)實(shí)現(xiàn)內(nèi)存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周三,福建晉華與其合作伙伴臺(tái)灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機(jī)密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理,預(yù)計(jì)晉華和聯(lián)電將做無(wú)罪辯護(hù)。
- 關(guān)鍵字: 晉華 DRAM 聯(lián)電
Gartner:三星2018年再度登頂全球半導(dǎo)體市場(chǎng)
- 據(jù)BusinessKorea北京時(shí)間1月8日?qǐng)?bào)道,受內(nèi)存行業(yè)的增長(zhǎng)推動(dòng),去年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)了13%。三星電子以15.9%的市場(chǎng)份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注),營(yíng)收同比增長(zhǎng)38.2%,在行業(yè)前十大公司中增速最快?! ?jù)市場(chǎng)研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)初步報(bào)告顯示,全球半導(dǎo)體營(yíng)收去年達(dá)4767億美元,同比增長(zhǎng)13.4%。存儲(chǔ)芯片占半導(dǎo)體總營(yíng)收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%,占比最大?! ∪请娮尤ツ甑陌雽?dǎo)體營(yíng)收達(dá)759
- 關(guān)鍵字: 三星 半導(dǎo)體 DRAM
看看國(guó)外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月,在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇,在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM) 在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
- 關(guān)鍵字: DRAM GAA-FET
AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌
- 全球DRAM市場(chǎng)上,三星一家獨(dú)大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購(gòu)之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?! ? DRAM連漲之后持續(xù)下跌 在DRAM內(nèi)存漲價(jià)超過(guò)9個(gè)季度之后,內(nèi)存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%,預(yù)計(jì)2019年還會(huì)繼續(xù)跌20%。 受此影響,全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
DRAM降價(jià)將會(huì)比預(yù)期更猛,明年對(duì)于存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)將是難熬的一年
- DRAM內(nèi)存降價(jià)已是必然,內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過(guò)這內(nèi)存漲的時(shí)候猛漲不止,降的時(shí)候看來(lái)勢(shì)頭會(huì)比預(yù)期更狠?! ∪疸y分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場(chǎng)的分析報(bào)告,雖然維持美光公司的中性評(píng)級(jí),但他下調(diào)了美光的目標(biāo)股價(jià),從52美元砍至41美元。他不看好美光股價(jià)的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價(jià)幅度要高于預(yù)期,之前分析認(rèn)為明年環(huán)比下架10-12%左右,但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價(jià)格降幅達(dá)到10-15%,而且NAND閃存價(jià)格也會(huì)降10-15%?! 〈饲?,DRAMeXchang
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲(chǔ)器
唇亡齒寒?臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必受中美貿(mào)易戰(zhàn)波及
- 根據(jù)臺(tái)灣11月27日首度公布的報(bào)告顯示,由于大陸出口美國(guó)的產(chǎn)品,半數(shù)以上已被征稅,導(dǎo)致大陸制造商購(gòu)買設(shè)備零件的意愿轉(zhuǎn)趨保守,臺(tái)灣機(jī)械訂單對(duì)大陸出口下滑,10月減少6.7個(gè)百分點(diǎn)?! ∨_(tái)灣經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處長(zhǎng)林麗貞20日指出,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)接單已經(jīng)受到美中貿(mào)易摩擦影響。今年上半年基本金屬接單很旺,但近期接單成長(zhǎng)明顯下滑,10月僅年增3.7%,為連續(xù)三個(gè)月呈個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)?! ∷M(jìn)一步表示,一旦中美貿(mào)易摩擦影響到全球經(jīng)濟(jì),恐會(huì)導(dǎo)致終端需求減少?! 〈送?,中高端手機(jī)銷售不如預(yù)期,恐會(huì)使未來(lái)資訊通信產(chǎn)品及電子產(chǎn)品接單受到影響
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
DRAM三巨頭或遭中國(guó)反壟斷處罰25億美元!韓國(guó)半導(dǎo)體夢(mèng)將破滅
- 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局反壟斷局日前表示已對(duì)三星,海力士,美光公司進(jìn)行反壟斷調(diào)查。如果被認(rèn)定存在壟斷行為,將面臨天價(jià)罰款,這一數(shù)字或?qū)⑹敲考?5億美元
- 關(guān)鍵字: DRAM
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