- 據(jù)國外媒體報道，全球第二大計算機內存芯片制造商海力士半導體近日表示該公司第二季度凈虧損4100萬美元。這也是海力士連續(xù)第七個季度虧損。
第二季度，海力士凈虧損為507億韓元（4100萬美元），去年同期凈虧損為7078億韓元。根據(jù)彭博社新聞對13位分析師的調查，市場原預期海力士第二季度能錄得490億韓元的凈利潤。
海力士營運虧損同比擴大21%至2212億韓元，高于去年同期1834億韓元的營運虧損水平。根據(jù)彭博社的調查，市場原預期海力士第二季度營運虧損為1900億韓元。
海力士在聲明中表示：&ldquo
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海力士 DRAM 內存芯片
- 臺“經(jīng)濟部”日前宣布“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”，即日起以三個月為期受理申請政府參與投資。令人關注的是，原先受經(jīng)濟部相中、賦予產(chǎn)業(yè)重整重責大任的“真命天子”TMC公司，如今已經(jīng)貶為“庶人”，須與其它DRAM制造廠平起平坐競逐國家資金。業(yè)者指出，此舉形同宣告原先的DRAM整并計劃破局，一切都回歸原點。事情發(fā)展到今天這樣的局面，容我們直言，馬政府中必須要有人負起政治責任。
在三周之前，媒體報導日本政府已經(jīng)決定
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TMC DRAM
- 據(jù)臺灣媒體報道，臺灣DRAM廠茂德科技董事會日前決議，與合作伙伴韓國海力士半導體 (Hynix)簽訂停止合作協(xié)議書。茂德表示，未來將轉與臺灣內存公司(TMC)等合作。
茂德甫于去年5月與海力士簽署策略聯(lián)盟合約，不僅延續(xù)雙方既有的技術合作伙伴關系，海力士將技轉50納米世代堆疊式DRAM制程技術給茂德;海力士還斥資新臺幣34.56億元，取得5.76億股茂德私募增資股。
此外，海力士資深副總裁Min Goo Choi也于今年茂德股東常會董監(jiān)事改選中，順利當選董事。
只是在茂德制程技術尚未推
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海力士 DRAM 50納米
- 臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。
存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
- 隨著全球PC廠商準備應對返校季節(jié)和圣誕節(jié)的銷售，DRAM計算機內存價格正在上漲。由于微軟Windows 7操作系統(tǒng)即將推出，內存價格上漲將超過人們的預期。
Windows 7將在10月22日推出的消息令人們興奮不已。主要原因是Windows 7到目前為止的測試結果贏得了好評，引起了Windows 7最終將把Windows XP用戶吸引過來的希望。Windows XP在市場上占統(tǒng)治地位已經(jīng)有8年時間了。Windows 7還為PC應用一些新功能鋪平了道路。這種情況也會推動銷售。
據(jù)DRAMeX
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三星 DRAM 內存芯片
- 7月21日三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級別產(chǎn)品全世界首次進入量產(chǎn)。同時該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。
據(jù)悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后，該公司又于2009年1月首次開發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過不斷簡化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時間，極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競爭力。
三星電子表示，新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50
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三星 40納米 Dram
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。
該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。
三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。
該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。
ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產(chǎn)技術，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
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三星 DRAM 30納米 NAND
- 三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲器先進制程，對于臺灣DRAM廠來說，又將面臨一次嚴峻的考驗。
DRAM廠目前最欠缺的就是金援，以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來看，很難靠一己之力對外籌資。也因此，包括韓國、日本等國政府都已出手金援，相形之下，臺灣DRAM廠迄無政府資金奧援，儼然落居劣勢。
由于資金壓力緊迫，加上政府產(chǎn)業(yè)再造計劃仍沒有進一步具體動作，甚至連政府挹注TMC資金都還沒到位，近期臺塑集團旗下南科、華亞科已搶先發(fā)動募資計畫，將有助提升臺灣DRAM 產(chǎn)業(yè)競爭力與韓系業(yè)者勢力抗衡。
伴隨
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三星 DRAM 存儲器
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出，各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食，日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半，全年支出僅約16億美元，但分析師預估，將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算，2009年的總資本支出也頂多10億美元，較目前規(guī)劃的金額減少6億美元，充分反應對存儲器市場看法的保守;此外，臺系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉進50納米，2009年資本支出規(guī)劃超過新臺幣100億元，力晶資本支出不到50億美元，茂德更無資本支出可言。
DRAM業(yè)者表示，以
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海力士 DRAM 存儲器
- 三星破天荒公布第二季獲利預估，優(yōu)于市場預期，業(yè)界認為作多意味濃厚，三星主要業(yè)務涵蓋面板、手機、半導體晶片等三大領域，以現(xiàn)況來看，面板需求暢旺無虞，但半導體芯片，尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲領域，則仍有觀察空間。
近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內外大廠，紛紛看好下半年DRAM價格走勢，為市場信心吞下一顆定心丸。
但業(yè)界憂心，三星第二季整體獲利超乎市場預期，在記憶體價格仍未見明顯起色下，是否會以其他部門的獲利，來彌補存儲事業(yè)虧損，進而持續(xù)以&
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三星 DRAM 半導體芯片
- 華亞科總經(jīng)理于9日發(fā)表對臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合的建言，9日更傳出臺塑集團搶在TMC前面，向“經(jīng)濟部”和國發(fā)基金送出DRAM整合企畫書;惟對此南亞科和華亞科表示，在幾天前的確以南亞科的名義，向工業(yè)局送出研發(fā)補助草案，非正式送件，也與DRAM整合無關，正式的整合計畫書將于近期送出;惟臺塑集團和TMC之間的戰(zhàn)火，各方互不相讓。
“經(jīng)濟部”針對臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合成立TMC，選定爾必達作為臺灣技術主軸，引發(fā)不少DRAM業(yè)者的抗議聲浪，臺塑集團首先出面拒絕加入
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TMC DRAM
- 臺塑集團的DRAM晶片廠南科、華亞科近日向臺“經(jīng)濟部”提出資金援助申請，希望政府支持臺塑集團投入技術開發(fā)計劃。預計將向政府爭取國發(fā)基金的資金挹注，額度約在200億至300億臺幣。
在臺灣當局今年年初出面主導成立臺灣記憶體公司(TMC)，希望藉此進行動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)產(chǎn)業(yè)整合再造後，臺塑集團在4月初時曾表示，與海外技術夥伴美光不會加入TMC陣營，反之希望政府比照TMC，予以資金等支持。
報導引述華亞科總經(jīng)理高啟全稱，有鑒政府將挹注資金給新的TMC公司，現(xiàn)也
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TMC DRAM
- 三星破天荒公布第二季獲利預估，優(yōu)于市場預期，業(yè)界認為作多意味濃厚，三星主要業(yè)務涵蓋面板、手機、半導體晶片等三大領域，以現(xiàn)況來看，面板需求暢旺無虞，但半導體芯片，尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲領域，則仍有觀察空間。
近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內外大廠，紛紛看好下半年DRAM價格走勢，為市場信心吞下一顆定心丸。
但業(yè)界憂心，三星第二季整體獲利超乎市場預期，在記憶體價格仍未見明顯起色下，是否會以其他部門的獲利，來彌補存儲事業(yè)虧損，進而持續(xù)以&
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三星 DRAM 存儲器
- 半導體技術極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領悟到一些哲理。
本演講根據(jù)半導體技術“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導體技術的發(fā)展哲理，供大家參考討論。
發(fā)展歷程
根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個階段：
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集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產(chǎn)。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
1β dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1β dram!
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