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DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計(jì)08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據(jù)三星日前的報(bào)告,我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化,大多數(shù)DRAM供應(yīng)商,尤其韓國(guó)之外的廠商2008年資本開(kāi)支出現(xiàn)大幅削減。” 預(yù)計(jì)2008年,DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%,原來(lái)預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開(kāi)支減少10-12%。 在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后,該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過(guò)于求情況?!斑@主要由于按容量計(jì)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM 三星 NAND EDA IC設(shè)計(jì)
第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%,達(dá)42億美元
- 市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%,達(dá)到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋(píng)果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭,本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求,本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。 韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快,其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%,達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%,在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子,市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數(shù)量
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 DRAM 存儲(chǔ)器
NEC電子開(kāi)發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術(shù)
- NEC電子近日完成了兩種線(xiàn)寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā),使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導(dǎo)體配線(xiàn)工藝更加微細(xì),被稱(chēng)為45nm的下一代產(chǎn)品。此次,NEC電子推出的工藝中,一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝,它可使邏輯部分的處理速度最快達(dá)到800MHz,同時(shí)保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝,它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。 UX8GD和 UX8LD 是在線(xiàn)寬從55nm縮小至40nm的
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供應(yīng)過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化
- 美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,由于供應(yīng)過(guò)剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。 NAND閃存方面,預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價(jià)格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導(dǎo)
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2007年上半年DRAM模塊市場(chǎng)晴雨表 金士頓仍是霸主
- 據(jù)iSuppli公司,2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位,但同期增長(zhǎng)最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見(jiàn)與記憶科技。 2007年上半年,臺(tái)灣創(chuàng)見(jiàn)DRAM模塊銷(xiāo)售收入比2006年同期大增77.3%,在所有的供應(yīng)商中增長(zhǎng)率最高。其銷(xiāo)售收入從2006年上半年的1.41億美元增長(zhǎng)到2.5億美元。創(chuàng)見(jiàn)在品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的排名從2006年上半年時(shí)的第10升至第六。 iSuppli公司的存儲(chǔ)IC和存儲(chǔ)系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示:“由于創(chuàng)見(jiàn)
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08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)
- 2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡,資本開(kāi)支預(yù)計(jì)下滑超過(guò)3%。Hosseini預(yù)測(cè),前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年,而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿(mǎn)變數(shù)。 他在報(bào)告中指出,“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化,由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn),2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑,下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度?!彼瑫r(shí)表示,“從2007年第3季度到2008年第3季度,預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑,之后有望重現(xiàn)恢復(fù)?!? 他最大的擔(dān)憂(yōu)在DRAM行業(yè),預(yù)計(jì)“整
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導(dǎo)體 DRAM 芯片 元件 制造
美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì):近期半導(dǎo)體市場(chǎng)不會(huì)衰退
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)表示,近期內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)不大可能出現(xiàn)衰退。它認(rèn)為今年全球芯片的銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)3%,在隨后三年中的增長(zhǎng)速度會(huì)更高一些。 SIA表示,它預(yù)計(jì)全球的芯片銷(xiāo)售額將由去年的2477億美元增長(zhǎng)至2571億美元,增長(zhǎng)速度低于今年年初時(shí)預(yù)期的10%。 6月份,SIA將今年芯片銷(xiāo)售額的增長(zhǎng)速度預(yù)期下調(diào)到了1.8%,主要原因是幾種關(guān)鍵市場(chǎng)的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后,微處理器的銷(xiāo)售出現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng),迫使SIA提高了對(duì)芯片銷(xiāo)售額增長(zhǎng)速度的預(yù)期。 S
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三星DRAM銷(xiāo)售穩(wěn)居冠軍,但市場(chǎng)份額不保
- 據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli公布的調(diào)查報(bào)告顯示,韓國(guó)三星電子在今年第三季度全球DRAM儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的銷(xiāo)售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座,但其部分市場(chǎng)份額卻被位居第二的Hynix奪走。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,iSuppli在上周四發(fā)布的報(bào)告中表示,在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn),它的成長(zhǎng)速度相當(dāng)迅猛,并在逐步縮小與三星的差距。據(jù)悉,第三季度三星的市場(chǎng)份額為27.7%,位居全球第一,其銷(xiāo)售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix,其第三季度收入比第二季度增長(zhǎng)了15.4%達(dá)到1
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晶圓廠陸續(xù)上線(xiàn) 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存
- 研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過(guò)DRAM內(nèi)存。 根據(jù)SMA報(bào)告,閃存產(chǎn)能從2000年以來(lái)已經(jīng)增長(zhǎng)了四倍,達(dá)到相當(dāng)于290萬(wàn)片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下,DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(zhǎng)225%。 報(bào)告表示,從2005年到2008年底的三年間,閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。 預(yù)計(jì)2008年和2009年,將有另外超過(guò)十座晶圓廠上線(xiàn)。SMA預(yù)計(jì),當(dāng)設(shè)備裝機(jī)完成時(shí),將帶來(lái)每月相當(dāng)于150萬(wàn)片2
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第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益
- 對(duì)全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn),在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢(shì)。不過(guò),雖然需求旺盛,但是由于代工產(chǎn)品種類(lèi)及技術(shù)水平的差別,各代工廠在凈利潤(rùn)方面卻是冷暖自知,中芯國(guó)際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損,但是通過(guò)與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下,不久中芯國(guó)際有望走出低迷。 第三季度代工需求旺盛 綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào),可以發(fā)現(xiàn)(見(jiàn)表“全球前
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 中芯國(guó)際 IC DRAM 模擬IC
IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè),2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè),2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。 報(bào)告指出,如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu),這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。 IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對(duì)各
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應(yīng)用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動(dòng)視頻是關(guān)鍵
- 美國(guó)和歐洲市場(chǎng)強(qiáng)勁的季節(jié)銷(xiāo)售,以及緊隨其后的中國(guó)新年銷(xiāo)售旺季,將有助于決定DRAM是否供過(guò)于求、邏輯芯片供應(yīng)正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。 應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter預(yù)測(cè),如果情況不是很好,2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會(huì)太強(qiáng)勁。2007年,半導(dǎo)體設(shè)備資本開(kāi)支增長(zhǎng)率為0到5%之間,而半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)預(yù)計(jì)為5%到10%之間。 Splinter表示,“尚未為止,2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因?yàn)殇N(xiāo)售沒(méi)有增加,而是由于遭遇沉重的價(jià)格壓力。粗略估計(jì),邏輯芯片
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IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%,略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
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2007年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%
- 市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長(zhǎng)率從原來(lái)的8%提升到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng),如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%,NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%,界面集成電路出貨量增長(zhǎng)60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%,汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。 ICInsights稱(chēng),如果2007年全球集成電路出貨量成長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng),這是前所未有的大牛市。
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 集成電路 IC DRAM 消費(fèi)電子
從過(guò)去到未來(lái)
- 如果你認(rèn)為過(guò)去的歸過(guò)去,未來(lái)的歸未來(lái),那么你就錯(cuò)了,因?yàn)闆](méi)有過(guò)去就不會(huì)有現(xiàn)在,沒(méi)有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來(lái)。然而過(guò)去、現(xiàn)在、未來(lái)之間是如何相互依存的呢?從某方面來(lái)說(shuō)這是神秘難以解答的一件事,但簡(jiǎn)單來(lái)講就是靠記憶的作用,過(guò)去雖然不存在了,卻可以回想,未來(lái)雖然還沒(méi)有決定,現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
- 關(guān)鍵字: NVM SRAM DRAM
1α dram介紹
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