驅(qū)動(dòng)器文章進(jìn)入驅(qū)動(dòng)器技術(shù)社區(qū)

滿足嚴(yán)格效率和性能規(guī)格且小尺寸的電源，需要搭配什么樣的控制器？

高性能通信、服務(wù)器和計(jì)算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時(shí)候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格，且通常具備相對(duì)較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈活解決方案。LTC7852/LTC7852-1旨在實(shí)現(xiàn)高效率，LTC7852每個(gè)相都不使用內(nèi)部柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器，且都可以生成一個(gè)與電源模塊、DrMOS，或外部柵極驅(qū)動(dòng)器和分立式MOSFET連接的
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瑞薩三合一驅(qū)動(dòng)單元方案，助力電動(dòng)車輕盈啟航

如今，電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過渡到集中式架構(gòu)。在傳統(tǒng)的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)中，逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件往往采用分布式布局，各自獨(dú)立工作，通過復(fù)雜的線束相互連接。這種設(shè)計(jì)方式不僅繁雜笨重，且維護(hù)起來也異常復(fù)雜。在這種情況下，X-in-1技術(shù)應(yīng)用而生。X-in-1技術(shù)是一種動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的集成技術(shù)，?旨在將多個(gè)動(dòng)力傳動(dòng)組件集成到單一的系統(tǒng)中，?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術(shù)，瑞薩推出三合一電動(dòng)汽車單元解決方案，該方案將多個(gè)分布式系統(tǒng)集成到一個(gè)實(shí)體中，包括車載
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以爆管和接觸器驅(qū)動(dòng)器提高HEV/EV電池?cái)嚅_系統(tǒng)安全性

混合動(dòng)力電動(dòng)車（HEV）與電動(dòng)車（EV）的電池管理系統(tǒng)（BMS）配電可為車輛核心功能提供電力，同時(shí)也提供安全中斷高電壓或高電流事件的機(jī)制。配電系統(tǒng)的兩個(gè)核心組件，高電壓繼電器和斷開保險(xiǎn)絲，因支持更高電壓、電流、效率和可靠性的需求與日俱增，使得設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)更高。圖一顯示了高壓繼電器和斷開保險(xiǎn)絲的概述。圖一 : 蓄電池?cái)嚅_保險(xiǎn)絲和 BMS 配電中的高壓繼電器不可復(fù)位的蓄電池?cái)嚅_保險(xiǎn)絲在緊急情況下啟動(dòng)，以斷開蓄電池與車輛其他部分之間的連接。在正常運(yùn)作期間，高電壓繼電器（也稱為接觸器）連接并斷開整個(gè) HE
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意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對(duì)可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
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大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

摘要維持較高額定功率的電機(jī)應(yīng)用引入了低功率應(yīng)用中不需要的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。通過查看功率級(jí)的解剖結(jié)構(gòu)，我們可以開發(fā)故障排除指南、外部電路庫(kù)、TI 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特性或布局技術(shù)，以應(yīng)對(duì)更大功率系統(tǒng)的易失性問題。1 大功率電機(jī)應(yīng)用簡(jiǎn)介大功率電機(jī)應(yīng)用范圍廣泛，從數(shù)百瓦的低壓系統(tǒng)（例如 12V 汽車電動(dòng)座椅）到數(shù)千瓦系統(tǒng)（例如 60V 和 100A 電動(dòng)工具）。通常，這些系統(tǒng)使用基于分流器的電流檢測(cè)和控制大功率 MOSFET 的非隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。雖然這些應(yīng)用可以由電池或轉(zhuǎn)換為直流的網(wǎng)格化交流電源供電，但它們都有一個(gè)共同的目
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模擬和數(shù)字技術(shù)交匯之處——智能邊緣

為了增強(qiáng)邊緣智能，機(jī)電執(zhí)行器需要智能和高度集成的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這些智能邊緣設(shè)備融合了執(zhí)行器和傳感器功能，支持在機(jī)器層面更好地進(jìn)行實(shí)時(shí)決策，并向更高的控制層級(jí)、云或AI生產(chǎn)力解決方案提供原位反饋信息。本文討論了模擬和數(shù)字技術(shù)交匯之處——智能邊緣的智能驅(qū)動(dòng)器解決方案和技術(shù)。在尋求增強(qiáng)邊緣智能的過程中，機(jī)電執(zhí)行器等物理邊緣設(shè)備需要更多智能，才能獲得更好的機(jī)器實(shí)時(shí)決策等優(yōu)勢(shì)。這些執(zhí)行器提供智能、有價(jià)值和豐富的傳感器式反饋。此類邊緣設(shè)備是工業(yè)4.0及更高階段的關(guān)鍵。它們控制機(jī)器人，操縱工廠流程并使之自動(dòng)化，將數(shù)字
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的電壓基準(zhǔn)解決方案

引言精密信號(hào)鏈對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器來說非常重要，因?yàn)殡姍C(jī)驅(qū)動(dòng)器利用精密信號(hào)鏈來測(cè)量電機(jī)速度、位置、扭矩和電源軌，從而確保高性能系統(tǒng)的穩(wěn)健性和效率。這一點(diǎn)適用于所有電機(jī)系統(tǒng)，例如伺服驅(qū)動(dòng)器、交流逆變器和速度受控型 BLDC 驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些器件都具有電壓/電流感測(cè)、SIN/COS AFE 和模擬 I/O 等常見子系統(tǒng)。外部電壓基準(zhǔn) 有助于更大限度地提高模擬信號(hào)鏈的分辨率和精度，從而優(yōu)化驅(qū)動(dòng)性能和效率。電機(jī)驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)知識(shí)圖 1. 電機(jī)功率級(jí)示例所有電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都需要電機(jī)功率級(jí)來為電機(jī)供電并控制電機(jī)，但由于功耗較高，因此可
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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230V LED驅(qū)動(dòng)器

在這個(gè)項(xiàng)目中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)單的 230V LED 驅(qū)動(dòng)器電路，它可以直接從電源驅(qū)動(dòng) LED。LED 是一種特殊的二極管，用作光電設(shè)備。與 PN 結(jié)二極管一樣，它在正向偏壓時(shí)導(dǎo)通。不過，這種器件的一個(gè)特點(diǎn)是能夠在電磁波譜的可見光波段（即可見光）中發(fā)射能量。驅(qū)動(dòng) LED 的主要問題是提供幾乎恒定的電流輸入。通常情況下，LED 是通過電池或微控制器等控制設(shè)備來驅(qū)動(dòng)的。然而，這些設(shè)備都有各自的缺點(diǎn)，例如電池壽命短等。一種可行的方法是使用交流直流電源驅(qū)動(dòng) LED。雖然使用變壓器的交流直流電源相當(dāng)流行和廣泛，但對(duì)
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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶的價(jià)值主張。不同于同類競(jìng)爭(zhēng)的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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提升馬達(dá)控制驅(qū)動(dòng)器整合度、最大化靈活性

本文敘述三相永磁無刷直流（BLDC）馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種換向方法在復(fù)雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；同時(shí)提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，以及馬達(dá)控制器IC在三種換向方法的作用。與傳統(tǒng)的有刷直流馬達(dá)的機(jī)械自換向不同，三相永磁無刷直流（Brushless DC ；BLDC）馬達(dá)控制需要一個(gè)電子換向電路。本文簡(jiǎn)要回顧BLDC馬達(dá)的工作原理，并介紹兩種最廣泛使用的換向方法在復(fù)雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；然后提出一種創(chuàng)新的BLDC換向方法，并探討安森美（onsemi）的新款馬達(dá)控制
關(guān)鍵字：馬達(dá)控制驅(qū)動(dòng)器 BLDC 安森美

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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單芯片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率，高
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用于汽車負(fù)載應(yīng)用的上橋 SmartFET 驅(qū)動(dòng)器

上橋 SmartFET 因其易于使用和高水平的保護(hù)而越來越受歡迎。與標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 一樣，SmartFET 非常適合各種汽車應(yīng)用。它們的區(qū)別在于內(nèi)置在上橋 SmartFET 器件中的控制電路?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)控輸出電流和器件溫度，同時(shí)針對(duì)電壓瞬變和其他意外應(yīng)用條件提供被動(dòng)保護(hù)。這種主動(dòng)和被動(dòng)保護(hù)功能的結(jié)合確保了穩(wěn)定可靠的應(yīng)用方案，延長(zhǎng)了器件本身及其所保護(hù)的應(yīng)用負(fù)載的使用壽命。安森美(onsemi)現(xiàn)在提供從 45 mΩ到 160 mΩ的上橋 SmartFET系列?。這些器件是受保護(hù)的單通道上橋
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驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較

在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測(cè)試來確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以大大降低導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。?如果ID導(dǎo)通峰值或VDS關(guān)斷浪涌因開關(guān)速度提升而增加，就需要采取對(duì)策。在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文
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驅(qū)動(dòng)器介紹

簡(jiǎn)介　　通過某個(gè)文件系統(tǒng)格式化并帶有一個(gè)驅(qū)動(dòng)器號(hào)的存儲(chǔ)區(qū)域。存儲(chǔ)區(qū)域可以是軟盤、CD、硬盤或其他類型的磁盤。單擊“Windows 資源管理器”或“我的電腦”中相應(yīng)的圖標(biāo)可以查看驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)容。　　要想了解軟盤和光盤中的信息，就必須把他們分別插入到軟盤驅(qū)動(dòng)器和光盤驅(qū)動(dòng)器中，供計(jì)算機(jī)對(duì)上面的數(shù)據(jù)信息進(jìn)行識(shí)別和處理。　　軟盤驅(qū)動(dòng)器和光盤驅(qū)動(dòng)器都位于機(jī)箱中，只把它們的"嘴巴"露在外面，隨時(shí)準(zhǔn)備" [ 查看詳細(xì) ]