頂部冷卻封裝文章進(jìn)入頂部冷卻封裝技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率

英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過(guò)汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì)，并更大程度地降低未來(lái)汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動(dòng)（EMB）、配電、無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器（BLDC）、安全開(kāi)關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。SSO10T TSC的占板面積為5
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● 全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無(wú)線單元，部署5G基站更快、更輕松● 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和制造，同時(shí)保證性能荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎(chǔ)設(shè)施打造更輕薄的無(wú)線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟(jì)性，同時(shí)能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片
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【2023年4月13日，德國(guó)慕尼黑訊】追求高效率的高功率應(yīng)用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動(dòng)汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價(jià)值。為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。這項(xiàng)舉措不僅進(jìn)一步鞏固了英飛凌將此標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計(jì)的目標(biāo)，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢(shì)，幫助他們?cè)谑袌?chǎng)中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品，并
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