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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 頂部冷卻封裝

英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應用提供更高效率

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計，并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應用。SSO10T TSC的占板面積為5
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恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)

  • ●   全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元，部署5G基站更快、更輕松●   簡化設(shè)計和制造，同時保證性能 荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎(chǔ)設(shè)施打造更輕薄的無線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟性，同時能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片
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英飛凌適合高功率應用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

  • 【2023年4月13日，德國慕尼黑訊】追求高效率的高功率應用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價值。為了應對相應的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設(shè)計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計的目標，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢，幫助他們在市場中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品，并
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頂部冷卻封裝介紹

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