集成電路文章進入集成電路技術(shù)社區(qū)

中國集成電路規(guī)模破萬億 “魚躍龍門”三關(guān)待過

　　根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)公布的最新數(shù)據(jù)顯示，2015年，在全球半導(dǎo)體市場整體下滑的狀態(tài)之下，中國市場一枝獨秀，在這個集成電路寒冬之中，實現(xiàn)同比增長6.1%，創(chuàng)紀(jì)錄地達到11024億元的佳績。更為可喜的是，在國內(nèi)集成電路市場旺盛的同時，國內(nèi)芯片的自給率逐漸提高，中國集成電路的產(chǎn)值也在連年升高，作為產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)頭企業(yè)華為、聯(lián)發(fā)科、中興等也迎來了豐收期。　　不過在超越國外芯片巨頭的道路上，國產(chǎn)芯片廠商在芯片的商業(yè)模式、資本規(guī)模、品牌形象宣傳等方面仍然有所欠缺，在不斷強化研發(fā)力的同時，國產(chǎn)芯片廠商在這
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中國集成電路規(guī)模破萬億 “魚躍龍門”三關(guān)待過

不可否認，當(dāng)下我國芯片行業(yè)面臨著巨大的機遇，國產(chǎn)芯片廠商應(yīng)牢牢把握好此次機會，爭取“魚躍龍門”。
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中芯國際關(guān)于近期不實媒體報道的聲明

　　2016年4月25日，有媒體發(fā)布稿件《超百億虧損待消化中芯國際背靠政策喜憂參半》，文章內(nèi)容存在不實，與中芯國際公開信息不一致，中芯國際對此聲明如下：　　一、關(guān)于中芯國際賬面上“過去累計虧損尚有20億美元有待消化”，記者引用數(shù)據(jù)未經(jīng)核實。中芯國際投資者關(guān)系部副總裁馮恩霖先生講話原文為：“過去累計虧損大約為10億美元”(這數(shù)據(jù)也刊載于中芯國際的2015年報)，記者所寫內(nèi)容并未向采訪者確認核實就對外發(fā)布。　　二、“高通由于遭遇中國政府的反
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集成電路市場逆勢增長國產(chǎn)芯片有望實現(xiàn)彎道超車

　　全球半導(dǎo)體市場在2014年出現(xiàn)9.9%的高增長后，2015年出現(xiàn)下滑。　　根據(jù)SIA公布的最新數(shù)據(jù)，2015年全球半導(dǎo)體市場銷售額為3352億美元，同比下降了0.2%。日本和歐洲半導(dǎo)體市場也出現(xiàn)了下降情況。但2015年中國集成電路市場規(guī)模仍創(chuàng)紀(jì)錄地達到11024億元，同比增長6.1%，成為全球為數(shù)不多的仍能保持增長的區(qū)域市場。　　中興通訊旗下中興微電子副總經(jīng)理劉新陽在接受《每日經(jīng)濟新聞》記者采訪時表示，中國已經(jīng)成為芯片專利增速最快的國家，國產(chǎn)芯片有實現(xiàn)彎道超車的機會，中興微電子預(yù)計未來三年出貨
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集成電路市場逆勢增長國產(chǎn)芯片有望實現(xiàn)彎道超車

　　全球半導(dǎo)體市場在2014年出現(xiàn)9.9%的高增長后，2015年出現(xiàn)下滑?！　「鶕?jù)SIA公布的最新數(shù)據(jù)，2015年全球半導(dǎo)體市場銷售額為3352億美元，同比下降了0.2%。日本和歐洲半導(dǎo)體市場也出現(xiàn)了下降情況。但2015年中國集成電路市場規(guī)模仍創(chuàng)紀(jì)錄地達到11024億元，同比增長6.1%，成為全球為數(shù)不多的仍能保持增長的區(qū)域市場?！　≈信d通訊旗下中興微電子副總經(jīng)理劉新陽在接受《每日經(jīng)濟新聞》記者采訪時表示，中國已經(jīng)成為芯片專利增速最快的國家，國產(chǎn)芯片有實現(xiàn)彎道超車的機會，中興微電子預(yù)計未來三年出貨量保持每
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大生態(tài)時代下中國集成電路市場機遇和挑戰(zhàn)

全球包括中國的ICT行業(yè)，正在步入一個大生態(tài)時代。這一時代具有大融合、全開放、強關(guān)聯(lián)、多方向的特征。在工業(yè)領(lǐng)域，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)以及智能制造領(lǐng)域，在"中國制造2025"的戰(zhàn)略規(guī)劃引導(dǎo)下，國內(nèi)企業(yè)應(yīng)該更多地和中國的指導(dǎo)企業(yè)銜接;在信息安全和自主可控領(lǐng)域有賴于行業(yè)組織和政府加大投資。于此背景下，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)也是機遇和挑戰(zhàn)并存。
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工信部副部長會見IBM副總裁加強高端芯片合作

　　4月20日從工信部獲悉，4月19日，工業(yè)和信息化部副部長懷進鵬會見美國IBM公司全球高級副總裁TomRosamilia，就進一步加強在Power高端芯片領(lǐng)域等合作交換意見。　　懷進鵬對IBM公司與中國業(yè)界在集成電路等領(lǐng)域開展的積極合作予以贊賞，表示中國集成電路市場發(fā)展空間廣闊，歡迎IBM公司積極參與《中國制造2025》和“互聯(lián)網(wǎng)+”行動計劃等戰(zhàn)略的實施進程，以更加開放的姿態(tài)進一步深化與中國業(yè)界和高校在技術(shù)和人才培養(yǎng)領(lǐng)域的合作，共同構(gòu)建良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。
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臺積電落子江北新區(qū) 南京建國內(nèi)集成電路中心

　　4月15日至16日，南京江北新區(qū)邀請20多名專家，研討集成電路發(fā)展方略。臺積電落戶江北新區(qū)，備受全球業(yè)界關(guān)注。借力臺積電，南京決心打造國內(nèi)集成電路中心，計劃4年內(nèi)建成千億級產(chǎn)業(yè)基地。讓這個“明星項目”落地生根，事關(guān)江北新區(qū)發(fā)展，而且對鞏固江蘇集成電路第一大省的地位意義重大。　　“江蘇制造”裝不上江蘇“芯” 　　3月，包括南京臺積電、淮安德珂碼圖像傳感器、武漢存儲器、重慶12功率半導(dǎo)體在內(nèi)，國內(nèi)多個集成電路項目開工。我國集成電
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日本熊本地震為何會影響全球電子零部件供應(yīng)？

日本集半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要生產(chǎn)基地是有其歷史與環(huán)境因素在，地理環(huán)境、政策造就日本矽島。
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重慶萬國打造國家重要集成電路產(chǎn)業(yè)基地

　　美國萬國半導(dǎo)體(簡稱“AOS公司”)成立于2000年，總部位于美國硅谷，是一家集半導(dǎo)體設(shè)計、晶圓制造、封裝測試為一體的企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成電路產(chǎn)品)的產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)制造。目前AOS公司在美國俄勒岡有一座8英寸晶圓廠、在上海松江有二座封裝工廠，在美國硅谷、臺灣、上海均設(shè)有研發(fā)中心。產(chǎn)品市場涉及筆記本電腦、液晶電視、手機、家電、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、照明應(yīng)用、汽車電子等領(lǐng)域。　　重慶項目概況　　重慶萬國半導(dǎo)體12英寸功率半導(dǎo)體芯
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【E課堂】如何學(xué)習(xí)電子電路分析方法（一）

　　1.怎樣才能學(xué)好電子技術(shù)　　這個問題很大，解決這個問題是一個系統(tǒng)工程，首先需要時間，其次還要多看書和多實踐，邊看書邊實踐?！　W(xué)好這門學(xué)科至少包括下列三方面的內(nèi)容，這三方面技能缺一不可，并且相互影響，它們之間是一個不可分割的整體。　　(1)掌握電路工作原理，也就是能夠看懂電路圖?！　?2)了解故障分析理論和檢查方法，也就是面對變化萬端的故障現(xiàn)象能夠做到心中有“譜”，有思路、有方法，能下手?！　?3)具備動手操作的能力，也就是能夠參與實踐活動，在游泳中學(xué)會游泳，在動手實踐中鞏固學(xué)到的理論知識。　　從學(xué)習(xí)
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大基金將帶動中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入快車道

　　集成電路產(chǎn)業(yè)被認為是高端制造業(yè)，尤其是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心。2014年9月，在工信部、財政部的指導(dǎo)下，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(亦稱大基金)正式設(shè)立，該基金被認為承載了扶持中國企業(yè)在集成電路市場上趕超歐美的使命。在大基金巨額投資之下，行業(yè)內(nèi)初步形成以紫光、中芯國際和長電科技為龍頭的國家隊。今年，大基金還將繼續(xù)發(fā)力，帶動中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入快車道。　　2015年是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(亦稱大基金)完整運作的一年。從大基金設(shè)立至今的一年多的實踐工作來看，大基金的各項工作進展順利，效果較為顯著，實
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國家大基金推動集成電路產(chǎn)業(yè)整體提升

　　2015年是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(亦稱大基金)完整運作的一年。從大基金設(shè)立至今的一年多的實踐工作來看，大基金的各項工作進展順利，效果較為顯著，實現(xiàn)了良好的開局。　　今年，大基金在制造領(lǐng)域的投資比例將由去年的45%提升到60%，并將繼續(xù)支持集成電路產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)的發(fā)展。　　另外，大基金還將更大力度地支持集成電路制造業(yè)和特色集成電路發(fā)展，重點推進存儲器項目，并將重點支持特色半導(dǎo)體，主要方向為砷化鎵、氮化鎵，未來還有可能支持碳化硅領(lǐng)域。　　投資覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié) 　　實現(xiàn)國家戰(zhàn)略和市場機制的
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沈陽IC裝備企業(yè)斬獲國家重大專項資金6.95億元

　　記者從沈陽市有關(guān)部門了解到，由沈陽富創(chuàng)精密設(shè)備有限公司承擔(dān)的“十二五”國家科技重大專項“IC設(shè)備關(guān)鍵零部件集成制造技術(shù)與加工平臺”3月26日順利通過國家02專項辦驗收。而渾南區(qū)已有新松機器人、芯源微電子、拓荊科技、富創(chuàng)精密等6家企業(yè)承擔(dān)了14項國家02科技重大專項，累計獲得國家資金支持6.95億元，在政策支持下已形成相對完整的IC裝備制造體系。　　IC裝備被譽為裝備制造業(yè)的“珠穆朗瑪”，是芯片產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)備，已成為先進裝
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ESD引起集成電路損壞原理模式及實例

　　本文蔣介紹ESD引起集成電路損壞原理模式及實例　　一.ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動引起的摩擦起電是重要的靜電來源，帶靜電的操作者與器件接觸并通過器件放電。(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送帶等摩擦，使器件本身帶靜電，它與人體或地接觸時發(fā)生的靜電放電。(3)當(dāng)器件處在很強的靜電場中時，因靜電感應(yīng)在器件內(nèi)部的芯片上將感應(yīng)出很高的電位差，從而引起芯片內(nèi)部薄氧化層的擊穿。或者某一管腳與地相碰也會發(fā)生靜電放電。根據(jù)上述三種ESD的損傷途徑，建立了三種ESD損傷模型：人體帶電模型、
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集成電路介紹

一、概述集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數(shù)目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功 [ 查看詳細 ]