脈沖電壓文章進(jìn)入脈沖電壓技術(shù)社區(qū)

CMOS可靠性測(cè)試新趨勢(shì)：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來(lái)說(shuō)，交流或脈沖應(yīng)力對(duì)典型的應(yīng)力測(cè)試是一個(gè)有用的補(bǔ)充。NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)包括應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)。所施加的應(yīng)力電壓通常是一個(gè)直流信號(hào)，使用它是因?yàn)樗菀子成涞狡骷Ｐ椭?。然而，結(jié)合脈沖應(yīng)力測(cè)試提供了額外的數(shù)據(jù)，允許更好地理解依賴(lài)頻率電路的器件性能。傳統(tǒng)上，直流應(yīng)力和測(cè)量技術(shù)被廣泛用于表征CMOS晶體管的可靠性，如由溝道熱載流子注入（HCI）和時(shí)間依賴(lài)性介電擊穿（TDDB）引起的退化。然而，隨著新的可靠性測(cè)試的發(fā)展，如金屬氧化物半
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脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對(duì)脈沖電源特點(diǎn)及主要參數(shù)的影響原因進(jìn)行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點(diǎn)分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結(jié)了實(shí)用的脈沖電源工程設(shè)計(jì)方法。
關(guān)鍵字：電源 MOS 脈沖電壓跌落幅度脈沖電源 201405

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