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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 脈沖應(yīng)力

CMOS可靠性測試新趨勢：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

  • 對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來說，交流或脈沖應(yīng)力對典型的應(yīng)力測試是一個有用的補(bǔ)充。NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗包括應(yīng)力/測量循環(huán)。所施加的應(yīng)力電壓通常是一個直流信號，使用它是因為它更容易映射到器件模型中。然而，結(jié)合脈沖應(yīng)力測試提供了額外的數(shù)據(jù)，允許更好地理解依賴頻率電路的器件性能。傳統(tǒng)上，直流應(yīng)力和測量技術(shù)被廣泛用于表征CMOS晶體管的可靠性，如由溝道熱載流子注入（HCI）和時間依賴性介電擊穿（TDDB）引起的退化。然而，隨著新的可靠性測試的發(fā)展，如金屬氧化物半
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脈沖應(yīng)力介紹

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