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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 美光1γ dram

英飛凌與爾必達(dá)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達(dá)公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。英飛凌與爾必達(dá)均同意撤消所有未決專利侵權(quán)訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)遞交起訴書，起訴爾必達(dá)及其客戶。爾必達(dá)隨后在弗吉尼亞州東部地區(qū)法院針對英飛凌提起兩項訴訟。 　　英飛凌與爾必達(dá)通過半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。具體許可條款未透露。 　　英飛凌公司董事會成員兼銷售、營銷、技術(shù)和研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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歐盟對三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單

  • 　　歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構(gòu)成壟斷，并開出總額達(dá)3.31億歐元的罰單。 　　歐盟委員會當(dāng)天發(fā)表聲明說，這些企業(yè)在動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)銷售上設(shè)定價格，其行為損害了市場競爭，違反歐盟反壟斷規(guī)定。 　　根據(jù)這一聲明，韓國三星電子公司被罰金額最高，為1.457億歐元，其次為歐洲第二大半導(dǎo)體生產(chǎn)商德國英飛凌科技公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司，分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據(jù)悉，韓國三星電子公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司去年在該存儲器全球市場中占據(jù)一半以上份
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最新DRAM廠商排名出爐 三星市占優(yōu)勢擴(kuò)大

  • 　　市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場份額公司排名情況。在Q1排名中市場份額擴(kuò)大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場份額減少的失意者為海力士，爾必達(dá)，南亞和威邦。 　　Q1的市場排名中依銷售額計，三星居首位，接下來為海力士，爾必達(dá)，美光，力晶，南亞，威邦，茂德，東芝和鈺創(chuàng)科技。 　　臺灣的茂德與力晶半導(dǎo)體由于產(chǎn)能利用率近滿載，它們的銷售額大幅增加。Gartner的分析師Andrew Norwood認(rèn)為力晶受益于其技術(shù)向Elpida的65nm XS技術(shù)過渡, 所以超
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三星斥156億美元巨資擴(kuò)大產(chǎn)能 競爭對手咋舌

  • 　　三星電子前日宣布，今年的擴(kuò)張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴(kuò)充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD)，以及電視與手機(jī)業(yè)務(wù)。此外，加上研發(fā)支出，預(yù)計三星今年支出總額將達(dá)26兆韓元，較去年激增67%，如此大手筆讓人咋舌。 　　據(jù)悉，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉3月在出席GSA內(nèi)存大會時還表示，三星不會盲目擴(kuò)大DRAM顆粒產(chǎn)量，但會重視產(chǎn)品價值，穩(wěn)定產(chǎn)品價格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能，而是應(yīng)該把注意力放在工藝升級和高端產(chǎn)品的研發(fā)
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三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規(guī)模最大的投資計畫，主要以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為主，這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來3年P(guān)C市場成長率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 　　權(quán)五鉉3月中旬
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三星電子2010年整體投資將達(dá)26兆韓元

  • 　　三星電子在16號半導(dǎo)體生產(chǎn)線開工儀式上表示，2010年整體投資將達(dá)到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國華城，將主要用于生產(chǎn)下一代存儲產(chǎn)品，2011年建成投產(chǎn)后預(yù)計能月產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體晶片20萬片以上。 　　2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域11兆韓元、液晶領(lǐng)域5兆韓元、手機(jī)顯示領(lǐng)域2兆韓元以上、整體研發(fā)8兆韓元。經(jīng)過此輪投資三星電子將實現(xiàn)30納米DRAM大規(guī)模量產(chǎn)、擁有能夠月產(chǎn)7萬片的第四條8代液晶面板生產(chǎn)線、擁有全球最大規(guī)模的AMOLED生產(chǎn)線等。這是三星集團(tuán)繼前不久宣布向新產(chǎn)業(yè)投
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5月DRAM合約價出爐　DDR2持平DDR3小漲

  • 　　原本進(jìn)入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認(rèn)為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 　　2010年5月合約價相當(dāng)難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機(jī)臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機(jī)臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時間點，會是在2011年! 　　瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機(jī)臺將于本周正式到貨，預(yù)計在9月之前會有5~6臺
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

  • 　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

  • 　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭

  • 　　DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達(dá)32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 　　集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過，在電腦系統(tǒng)廠商擔(dān)心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續(xù)走揚。 　　根據(jù)統(tǒng)計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價上漲5%，現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。 　　而在產(chǎn)品價格走揚，加上各
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集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%

  • 　　根據(jù)集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價持平，持續(xù)維持在高檔價格。 　　由于計算機(jī)系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進(jìn)至DDR3，使買方亦努力拉
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

  • 　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。 　　該公司補(bǔ)充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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追隨三星之路　爾必達(dá)推出32GB容量模塊

  • 　　日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊，應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，逐漸由主流規(guī)格2Gb，延伸至4Gb容量。 　　爾必達(dá)22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  40納米  

追趕65納米

  • 　　在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風(fēng)向標(biāo)意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達(dá)及海力士都報導(dǎo)扭虧為盈, 預(yù)計2010年全球DRAM增長40%,可達(dá)319億美元。 　　以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預(yù)計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進(jìn)制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
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美光1γ dram介紹

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